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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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4224LGM-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 4224LGM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品型號(hào):4224LGM-VB**

4224LGM-VB 是一款雙N+N溝道MOSFET,采用SOP8封裝。具有20V的漏源電壓(VDS)、12V的柵源電壓(VGS)、0.5~1.5V的閾值電壓(Vth)以及10A的漏極電流(ID)。這款MOSFET采用Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高電流承受能力,適用于需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝形式**:SOP8
- **配置**:雙N+N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:20V
- **柵源電壓 (VGS)**:±12V
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:12mΩ@VGS=4.5V, 9mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:10A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**1. 電源管理**

4224LGM-VB 可以用于電源管理中的功率開關(guān)控制。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其成為電源管理模塊中的關(guān)鍵元件。

**示例**:在手機(jī)充電器中,4224LGM-VB 可以用作功率開關(guān)元件,控制電流和電壓輸出,提高充電效率和安全性。

**2. 電動(dòng)汽車充電樁**

在電動(dòng)汽車充電樁中,4224LGM-VB 可以用作功率開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)對(duì)電動(dòng)汽車充電過程的控制,提高充電效率和速度。

**示例**:在交流充電樁中,4224LGM-VB 可以用作功率開關(guān)元件,控制充電樁對(duì)電動(dòng)汽車的充電過程。

**3. LED照明**

在LED照明領(lǐng)域,4224LGM-VB 可以用于LED驅(qū)動(dòng)器中的功率開關(guān)控制。其高性能特性有助于提高LED照明系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。

**示例**:在LED燈具中,4224LGM-VB 可以用作功率開關(guān)元件,控制LED的亮度和色溫,提高LED燈具的控制精度。

通過以上應(yīng)用示例,可以看出4224LGM-VB 在需要高性能功率開關(guān)控制的各個(gè)領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。

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