--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO247封裝
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
42N65M5-VB 是一款由VBsemi公司生產(chǎn)的單N溝道MOSFET,采用TO247封裝。該器件具有700V的漏源電壓(VDS)、±30V的柵源電壓(VGS)、3.5V的柵極閾值電壓(Vth)、80mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))(在VGS=10V時)、47A的漏極電流(ID),采用SJ_Multi-EPI技術(shù),適用于高壓和高功率的應(yīng)用場合。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:42N65M5-VB
- **封裝類型**:TO247
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:700V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:80mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:47A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
42N65M5-VB 適用于多種領(lǐng)域和模塊:
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換**:
42N65M5-VB 非常適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如開關(guān)電源(SMPS)、電源適配器和高壓直流電源(HVDC)等。其高漏源電壓和高漏極電流使其能夠在高壓環(huán)境下高效工作。
2. **太陽能逆變器**:
在太陽能逆變器中,42N65M5-VB 可以作為高效的開關(guān)器件,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高電壓和電流處理能力確保逆變器在高功率條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
3. **電動車輛充電器**:
該器件適用于電動車輛的充電器模塊,能夠處理高電壓和高電流,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和充電管理。
4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:
42N65M5-VB 在工業(yè)控制系統(tǒng)中也有廣泛應(yīng)用,如電機(jī)驅(qū)動器和可編程邏輯控制器(PLC)等。其高壓和高功率特性確保系統(tǒng)在各種工業(yè)環(huán)境中的穩(wěn)定和可靠運(yùn)行。
綜上所述,42N65M5-VB 在需要處理高電壓和高功率的應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景,能夠提供高效、可靠的功率管理和控制功能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它