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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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4411M-VB一款Single-P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 4411M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、4411M-VB 產(chǎn)品簡介

4411M-VB 是一款單 P 溝道 MOSFET,采用 SOP8 封裝。該產(chǎn)品具有 -30V 的漏極-源極電壓(VDS)、20V 的柵極-源極電壓(VGS)、-1.7V 的閾值電壓(Vth)、以及 -9A 的漏極電流(ID)。4411M-VB 采用溝槽技術(shù),具有高性能和可靠性。

### 二、4411M-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)               | 數(shù)值                       |
|--------------------|--------------------------|
| 封裝               | SOP8                     |
| 配置               | 單 P 溝道                 |
| 漏極-源極電壓 (VDS) | -30V                     |
| 柵極-源極電壓 (VGS) | ±20V                     |
| 閾值電壓 (Vth)     | -1.7V                    |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 24mΩ @ VGS=4.5V         |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 18mΩ @ VGS=10V          |
| 漏極電流 (ID)      | -9A                      |
| 技術(shù)               | 溝槽技術(shù) (Trench)        |

### 三、4411M-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理模塊**:
  由于 4411M-VB 具有負漏極-源極電壓(-30V)和較低的導通電阻(24mΩ),適用于高效能耗和高可靠性的負極電源管理模塊,如負極電池管理和負極驅(qū)動控制。

2. **電動汽車**:
  在電動汽車的電源管理系統(tǒng)中,4411M-VB 可用于負極電池管理和驅(qū)動控制,幫助實現(xiàn)高效的負極能量轉(zhuǎn)換和驅(qū)動性能。

3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:
  4411M-VB 適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的負極開關(guān)和控制模塊,提供精確的負極控制和高效運行。

4. **功率因數(shù)校正器**:
  4411M-VB 可用于功率因數(shù)校正器中的負極開關(guān)和控制器件,有助于提高能量利用效率和減少負載損耗。

綜上所述,4411M-VB MOSFET 具有廣泛的應(yīng)用前景,特別適用于需要負極高性能開關(guān)器件的應(yīng)用場合。

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