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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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4418GJ-VB一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 4418GJ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、4418GJ-VB 產(chǎn)品簡介

4418GJ-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO251 封裝。該產(chǎn)品具有 30V 的漏極-源極電壓(VDS)、20V 的柵極-源極電壓(VGS)、1.7V 的閾值電壓(Vth)、以及 50A 的漏極電流(ID)。4418GJ-VB 采用溝槽技術(shù),具有高性能和可靠性。

### 二、4418GJ-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)               | 數(shù)值                       |
|--------------------|--------------------------|
| 封裝               | TO251                    |
| 配置               | 單 N 溝道                 |
| 漏極-源極電壓 (VDS) | 30V                      |
| 柵極-源極電壓 (VGS) | ±20V                     |
| 閾值電壓 (Vth)     | 1.7V                     |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 9mΩ @ VGS=4.5V          |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 7mΩ @ VGS=10V           |
| 漏極電流 (ID)      | 50A                      |
| 技術(shù)               | 溝槽技術(shù) (Trench)        |

### 三、4418GJ-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理模塊**:
  4418GJ-VB 適用于高性能電源管理模塊,如服務(wù)器電源和工業(yè)電源,具有較低的導(dǎo)通電阻和高漏極電流,有助于提高能源效率。

2. **電動汽車**:
  在電動汽車的電源管理系統(tǒng)中,4418GJ-VB 可用于驅(qū)動控制模塊,幫助實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和驅(qū)動性能。

3. **工業(yè)自動化**:
  4418GJ-VB 適用于工業(yè)自動化中的高壓控制和開關(guān)模塊,提供高性能和可靠性,滿足復(fù)雜工業(yè)環(huán)境的需求。

4. **LED照明**:
  由于 4418GJ-VB 具有較低的導(dǎo)通電阻和高漏極電流,適用于高性能 LED 驅(qū)動器,提供高效能量管理和長壽命。

5. **通信設(shè)備**:
  4418GJ-VB 可用于通信設(shè)備中的高性能開關(guān)和控制模塊,提供穩(wěn)定可靠的電源控制和高效能耗。

綜上所述,4418GJ-VB MOSFET 具有廣泛的應(yīng)用前景,在多個領(lǐng)域中都能發(fā)揮重要作用,特別適用于需要高性能開關(guān)器件的應(yīng)用場合。

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