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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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4419GH-VB一款Single-P溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 4419GH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號:** 4419GH-VB  
**封裝:** TO252  
**配置:** 單P溝道MOSFET  
**主要參數(shù):**
- 漏源電壓 (VDS):-30V
- 柵源電壓 (VGS):±20V
- 閾值電壓 (Vth):-1.7V
- 導通電阻 (RDS(ON)):46mΩ @ VGS=4.5V,33mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流 (ID):-38A
- 技術(shù):Trench(溝槽型)

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱            | 參數(shù)值               |
|-----------------|--------------------|
| 漏源電壓 (VDS)       | -30V               |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±20V               |
| 閾值電壓 (Vth)       | -1.7V              |
| 導通電阻 (RDS(ON))   | 46mΩ @ VGS=4.5V    |
|                   | 33mΩ @ VGS=10V     |
| 漏極電流 (ID)        | -38A               |
| 功率耗散 (Ptot)      | 2.5W               |
| 輸入電容 (Ciss)      | 1500pF             |
| 輸出電容 (Coss)      | 400pF              |
| 反向傳輸電容 (Crss)  | 100pF              |
| 開啟時間 (ton)       | 8ns                |
| 關(guān)斷時間 (toff)      | 45ns               |
| 工作溫度范圍 (Tj)     | -55°C ~ 150°C      |
| 封裝類型            | TO252              |

### 應用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**:4419GH-VB適用于低壓電源管理系統(tǒng),如便攜式電子設備、充電器和電池保護模塊等,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

2. **汽車電子**:在汽車電子領(lǐng)域,這款MOSFET可用于汽車電源管理系統(tǒng)、照明控制和電動車輛的電機驅(qū)動系統(tǒng)等,提供高效的功率轉(zhuǎn)換和安全性。

3. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,這款MOSFET可以用于功率開關(guān)和電源調(diào)節(jié)器等模塊,確保系統(tǒng)的高效率和可靠性。

4. **LED驅(qū)動**:適用于LED照明系統(tǒng)的電源管理模塊,確保LED的穩(wěn)定亮度和長壽命。

5. **消費電子**:在消費電子產(chǎn)品中,這款MOSFET可用于家用電器、智能家居設備和音視頻設備等的電源管理模塊,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

通過這些應用領(lǐng)域和模塊的具體例子,可以看出4419GH-VB TO252 MOSFET因其高功率、高效率的特性在多個領(lǐng)域中得到了廣泛應用。

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