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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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4501AGEM-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 4501AGEM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、4501AGEM-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

4501AGEM-VB 是一款雙 N 溝道加 P 溝道 MOSFET,采用 SOP8 封裝。該產(chǎn)品具有 ±30V 的漏極-源極電壓(VDS)、20V 的柵極-源極電壓(VGS)、1.8V/-1.7V 的閾值電壓(Vth)、以及 10A/-8A 的漏極電流(ID)。4501AGEM-VB 采用溝槽技術(shù),具有高性能和可靠性。

### 二、4501AGEM-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)               | 數(shù)值                       |
|--------------------|--------------------------|
| 封裝               | SOP8                     |
| 配置               | 雙 N 溝道加 P 溝道         |
| 漏極-源極電壓 (VDS) | ±30V                     |
| 柵極-源極電壓 (VGS) | ±20V                     |
| 閾值電壓 (Vth)     | 1.8V / -1.7V             |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 13mΩ / 28mΩ @ VGS=4.5V  |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 11mΩ / 21mΩ @ VGS=10V   |
| 漏極電流 (ID)      | 10A / -8A                |
| 技術(shù)               | 溝槽技術(shù) (Trench)        |

### 三、4501AGEM-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理模塊**:
  4501AGEM-VB 可用于需要雙溝道和 P 溝道器件的高性能電源管理模塊,具有較低的導(dǎo)通電阻和高漏極電流。

2. **音頻放大器**:
  在音頻放大器中,4501AGEM-VB 可用于功率放大器模塊,提供高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的音頻輸出。

3. **電動(dòng)汽車**:
  在電動(dòng)汽車的電源管理系統(tǒng)中,4501AGEM-VB 可用于驅(qū)動(dòng)控制模塊,幫助實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)性能。

4. **工業(yè)控制**:
  4501AGEM-VB 適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中需要雙溝道和 P 溝道器件的高壓控制模塊,提供高性能和可靠性。

5. **電池管理**:
  4501AGEM-VB 可用于電池管理系統(tǒng)中的充放電控制模塊,提供高效能的電池管理功能。

綜上所述,4501AGEM-VB MOSFET 具有廣泛的應(yīng)用前景,在多個(gè)領(lǐng)域中都能發(fā)揮重要作用,特別適用于需要雙溝道和 P 溝道器件的高性能應(yīng)用場(chǎng)合。

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