日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

4880M-VB一款Single-N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 4880M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、產(chǎn)品簡介

4880M-VB是VBsemi公司推出的單N溝道MOSFET,采用SOP8封裝。它適用于低壓功率開關(guān)和電源管理應(yīng)用,具有30V的漏源電壓(VDS),特別設(shè)計(jì)以提供低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力。

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝形式**:SOP8
- **配置**:單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS=4.5V時(shí):11mΩ
 - VGS=10V時(shí):8mΩ
- **漏極電流(ID)**:13A
- **技術(shù)類型**:溝槽(Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

4880M-VB MOSFET適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**:
  - 在低壓電源管理系統(tǒng)中,如便攜式電子設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品和智能手機(jī),4880M-VB可用于電池保護(hù)、充電管理和功率開關(guān),提供高效的電能管理和延長設(shè)備續(xù)航時(shí)間。

2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:
  - 在各種DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中,如電源適配器、開關(guān)穩(wěn)壓電源和電動(dòng)工具控制,4880M-VB能夠?qū)崿F(xiàn)快速響應(yīng)和低功耗操作,滿足電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定輸出的要求。

3. **汽車電子**:
  - 在車輛電子系統(tǒng)中,如車載電池管理系統(tǒng)(BMS)、LED照明控制和內(nèi)部電子控制單元(ECU),4880M-VB用于電源開關(guān)和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng),保證車輛電氣系統(tǒng)的高效性和安全性。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**:
  - 在工業(yè)控制和自動(dòng)化設(shè)備中,如PLC控制器、工廠自動(dòng)化和機(jī)器人控制,4880M-VB可用于邏輯級開關(guān)和高頻率操作,支持設(shè)備的精確控制和高效能運(yùn)行。

5. **通信設(shè)備**:
  - 在通信基站、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心中,4880M-VB用于功率開關(guān)和高頻率開關(guān)電源,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能的電力轉(zhuǎn)換。

通過采用4880M-VB MOSFET,設(shè)計(jì)工程師能夠?qū)崿F(xiàn)低壓、高效率的電子電路設(shè)計(jì),滿足各種低功耗和高性能應(yīng)用的功率管理需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    782瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    638瀏覽量
双牌县| 马鞍山市| 册亨县| 鞍山市| 隆林| 龙胜| 犍为县| 登封市| 项城市| 灵山县| 郓城县| 宁陵县| 砚山县| 巩义市| 大港区| 平阳县| 金阳县| 中西区| 尖扎县| 林口县| 绥德县| 勐海县| 改则县| 富蕴县| 新巴尔虎右旗| 定远县| 农安县| 肥东县| 苍山县| 原阳县| 綦江县| 依安县| 上栗县| 邵阳市| 枣阳市| 白河县| 富平县| 阳原县| 迁西县| 阿拉善盟| 汝州市|