--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Dual-P+P
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 4957AGM-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
4957AGM-VB 是一款雙P溝道(Dual-P+P-Channel)MOSFET,采用Trench技術(shù),封裝為SOP8。該MOSFET具有負(fù)電源電壓下的優(yōu)異導(dǎo)通特性和穩(wěn)定的性能,適合要求高效能和可靠性的負(fù)電壓應(yīng)用。
### 4957AGM-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 值 |
|------------|---------------------------|
| 封裝 | SOP8 |
| 配置 | Dual-P+P-Channel |
| VDS | -30V |
| VGS | 12V(±V) |
| Vth | -1.7V |
| RDS(ON) | 28mΩ @ VGS=4.5V |
| RDS(ON) | 21mΩ @ VGS=10V |
| ID | -8A |
| 技術(shù) | Trench |

### 4957AGM-VB MOSFET 適用領(lǐng)域和模塊應(yīng)用舉例
4957AGM-VB MOSFET 可以在以下領(lǐng)域和模塊中得到應(yīng)用:
1. **電源逆變器和負(fù)電壓電路**
- 由于其雙P溝道設(shè)計和負(fù)電源電壓特性,4957AGM-VB 可以用于負(fù)電壓電源逆變器和開關(guān)電路中,適用于需要負(fù)電壓輸出的電子設(shè)備和系統(tǒng)。
2. **汽車電子和工業(yè)控制**
- 在汽車電子和工業(yè)控制系統(tǒng)中,4957AGM-VB 可以用作電機(jī)驅(qū)動器和電源開關(guān),確保高效能的能量轉(zhuǎn)換和可靠的操作。
3. **醫(yī)療設(shè)備和儀器**
- 在醫(yī)療設(shè)備和儀器的電源管理和控制中,4957AGM-VB 可以提供穩(wěn)定的負(fù)電壓電源,適用于各種醫(yī)療設(shè)備的功率控制和驅(qū)動。
4. **通信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備**
- 在通信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的電源系統(tǒng)中,4957AGM-VB 可以用于電源轉(zhuǎn)換和電路保護(hù),保證設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃浴?/p>
綜上所述,4957AGM-VB MOSFET 因其雙P溝道結(jié)構(gòu)、負(fù)電源電壓能力和穩(wěn)定的性能,在負(fù)電壓應(yīng)用和高效能電子系統(tǒng)設(shè)計中具有重要的應(yīng)用價值。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它