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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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4N60ZG-TF3-T-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 4N60ZG-TF3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

4N60ZG-TF3-T-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。它采用Plannar技術(shù)設(shè)計(jì),適用于中高壓應(yīng)用,具有較高的漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,適合要求中等功率處理的場(chǎng)合。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

4N60ZG-TF3-T-VB適用于以下幾個(gè)主要領(lǐng)域和模塊:

1. **電源開(kāi)關(guān)和逆變器**:
  由于其高達(dá)650V的漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,4N60ZG-TF3-T-VB適合用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、電源逆變器和直流-交流轉(zhuǎn)換器。這些應(yīng)用通常需要處理中等功率和較高的電壓,保證了設(shè)備在各種電源條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。

2. **照明和電力控制**:
  在LED照明驅(qū)動(dòng)和其他照明控制系統(tǒng)中,特別是需要處理高電壓和電流的場(chǎng)合,如工業(yè)照明和戶外照明應(yīng)用,4N60ZG-TF3-T-VB提供了可靠的功率開(kāi)關(guān)和電壓調(diào)節(jié)能力。

3. **電動(dòng)汽車(chē)充電設(shè)備**:
  作為電動(dòng)汽車(chē)充電樁的關(guān)鍵部件,該型號(hào)MOSFET能夠處理高達(dá)650V的電壓和適中的電流,確保充電過(guò)程中的高效能和穩(wěn)定性,滿足電動(dòng)汽車(chē)快速充電的需求。

4. **工業(yè)控制和電氣設(shè)備**:
  在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,如PLC控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和工廠自動(dòng)化設(shè)備,4N60ZG-TF3-T-VB可以作為電源開(kāi)關(guān)和電氣設(shè)備的關(guān)鍵組成部分,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

綜上所述,4N60ZG-TF3-T-VB TO220F MOSFET以其高漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,為中高壓電源管理和開(kāi)關(guān)控制提供了可靠的解決方案,適用于多種工業(yè)和電力應(yīng)用場(chǎng)景。

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