日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

5863LG-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 5863LG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 5863LG-VB TO252 MOSFET 產(chǎn)品簡介

5863LG-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝。該器件具有60V的漏極-源極電壓(VDS),柵極電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為3V。采用Trench技術(shù),具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性,RDS(ON)在VGS為10V時(shí)為4.5毫歐,能夠提供最大97A的漏極電流(ID)。適用于需要高電流和中等電壓負(fù)載開關(guān)的應(yīng)用場合。

### 5863LG-VB TO252 MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)      | 值                             |
|-----------|--------------------------------|
| 封裝      | TO252                          |
| 配置      | 單N溝道                         |
| 漏極-源極電壓 (VDS) | 60V                            |
| 柵極電壓 (VGS) | ±20V                           |
| 閾值電壓 (Vth) | 3V                             |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 4.5mΩ                          |
| 漏極電流 (ID) | 97A                            |
| 技術(shù)      | Trench                         |

### 5863LG-VB TO252 MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

#### 應(yīng)用領(lǐng)域
1. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:用于工業(yè)電機(jī)和電動(dòng)工具的驅(qū)動(dòng)電路,支持高功率輸出和頻繁的開關(guān)操作。
2. **電源管理**:在低壓直流電源和開關(guān)電源中,作為主動(dòng)開關(guān)元件,確保高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出。
3. **車載電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,如電動(dòng)車輛的動(dòng)力控制和充電管理,提供可靠的功率開關(guān)和電流控制。

#### 模塊舉例
1. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊**:5863LG-VB 可用于工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,如工廠自動(dòng)化中的輸送帶驅(qū)動(dòng)和機(jī)器人關(guān)節(jié)控制。
2. **電源開關(guān)模塊**:在電源管理模塊中,用于低電壓和中等電流的功率開關(guān),支持各種工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和能效優(yōu)化。

5863LG-VB TO252 MOSFET 由于其高電流和中等電壓的特性,適合于需要高效能力管理和可靠開關(guān)操作的多種電子和工業(yè)應(yīng)用場合。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    782瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    638瀏覽量
嘉祥县| 普定县| 隆子县| 化德县| 厦门市| 莱西市| 罗田县| 江油市| 枝江市| 金平| 兴宁市| 巴中市| 大英县| 大城县| 元阳县| 合水县| 张家界市| 临颍县| 长白| 万载县| 九龙坡区| 晋州市| 凤阳县| 汉寿县| 得荣县| 宁波市| 肥城市| 怀化市| 昌宁县| 肇庆市| 天祝| 格尔木市| 峨边| 穆棱市| 渑池县| 敦化市| 灵寿县| 合川市| 胶州市| 大荔县| 济宁市|