--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**5N95K5-VB** 是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝,專為高壓開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。具有900V的擊穿電壓和2A的連續(xù)漏極電流能力,該器件適用于需要高電壓和中等電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)合。其采用了SJ_Multi-EPI技術(shù),提供了良好的導(dǎo)通特性和穩(wěn)定的性能。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: 5N95K5-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**: 900V
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2700mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI(多重環(huán)保浸潤(rùn))

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
1. **電源逆變器(Power Inverters)**:
- 5N95K5-VB 在高壓電源逆變器中表現(xiàn)出色,能夠有效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,適用于太陽(yáng)能逆變器、UPS系統(tǒng)等領(lǐng)域。
2. **電動(dòng)車充電器(Electric Vehicle Chargers)**:
- 在電動(dòng)車充電設(shè)備中,該MOSFET可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和充電控制模塊,提供高效能耗管理和穩(wěn)定的充電功能。
3. **工業(yè)電源供應(yīng)(Industrial Power Supplies)**:
- 在工業(yè)自動(dòng)化和電力管理系統(tǒng)中,這款MOSFET能夠處理高壓和中等電流的電力需求,提供可靠的電源轉(zhuǎn)換和管理。
4. **照明控制(Lighting Control)**:
- 在LED驅(qū)動(dòng)和其他照明控制應(yīng)用中,5N95K5-VB 可以幫助實(shí)現(xiàn)高效的電能管理和光亮調(diào)節(jié)。
5. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)(Motor Drives)**:
- 雖然其電流能力較低,但在需要處理中等功率電機(jī)的應(yīng)用中,如家用電器和小型工業(yè)機(jī)械中,該MOSFET也可以發(fā)揮作用,提供有效的電力控制和保護(hù)。
綜上所述,5N95K5-VB 作為一款高壓、中等電流處理能力的N溝道MOSFET,適用于多種需要穩(wěn)定電力管理和高壓轉(zhuǎn)換的工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用場(chǎng)合,為系統(tǒng)的性能提升和能耗優(yōu)化提供了可靠的解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛