--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(5X6)-C
- 溝道 Half-Bridge-N+N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 60N32N3LL-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
60N32N3LL-VB是一款半橋N+N溝道功率MOSFET,采用DFN8(5X6)-C封裝。由VBsemi采用Trench技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高電流特性,適用于半橋驅(qū)動和功率控制應(yīng)用。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: 60N32N3LL-VB
- **封裝**: DFN8(5X6)-C
- **配置**: 半橋N+N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 4mΩ @ VGS=4.5V
- 3.4mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實例
1. **電動工具和電動車輛**: 在需要高功率和高效能的電動工具和電動車輛中,60N32N3LL-VB可用于電機驅(qū)動控制和電池管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)。
2. **電源轉(zhuǎn)換器**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高電流特性,適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出。
3. **服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心設(shè)備**: 在需要高性能和可靠的功率管理和功率分配的服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心設(shè)備中,該MOSFET可用于電源模塊和電池備份系統(tǒng)。
4. **工業(yè)控制系統(tǒng)**: 在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,如變頻器、電機驅(qū)動和逆變器中,能夠提供可靠的功率開關(guān)和控制。
5. **LED照明系統(tǒng)**: 在需要高功率LED驅(qū)動和調(diào)光控制的照明應(yīng)用中,該器件能夠有效地控制LED模塊的功率和亮度,提升照明系統(tǒng)的效能和能效。
綜上所述,60N32N3LL-VB MOSFET以其卓越的電流承載能力、低導(dǎo)通電阻和高效能特性,在多種高功率和高效能電子設(shè)備中展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用潛力,是設(shè)計需要高性能功率控制和驅(qū)動的電力電子系統(tǒng)的理想選擇。
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