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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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60N55F3-VB TO251一款Single-N溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 60N55F3-VB TO251
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號:** 60N55F3-VB  
**封裝:** TO251  
**配置:** 單N溝道  
**VDS:** 60V  
**VGS:** 20(±V)  
**Vth:** 2.5V  
**RDS(ON):** 
- 6mΩ @ VGS=4.5V  
- 5mΩ @ VGS=10V  
**ID:** 97A  
**技術(shù):** Trench

60N55F3-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO251封裝,適用于高功率應(yīng)用。它具有60V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS),以及2.5V的門限電壓(Vth)。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在不同柵極-源極電壓下為6mΩ(在VGS=4.5V時)和5mΩ(在VGS=10V時),最大連續(xù)漏極電流(ID)為97A。采用Trench技術(shù)的設(shè)計,能夠提供優(yōu)異的導(dǎo)通特性和高效的功率管理能力。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 數(shù)值        |
|-------------------|-----------|
| 型號                | 60N55F3-VB |
| 封裝                | TO251     |
| 配置                | 單N溝道    |
| 漏極-源極電壓(VDS) | 60V       |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 20(±V)  |
| 門限電壓(Vth)      | 2.5V      |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))  | 6mΩ @ VGS=4.5V, 5mΩ @ VGS=10V |
| 最大連續(xù)漏極電流(ID)| 97A       |
| 技術(shù)                | Trench    |

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **電源模塊(Power Modules):**
  60N55F3-VB MOSFET適用于各類高功率電源模塊中的功率開關(guān)電路。其極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其能夠有效地處理高功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出需求。

2. **電動工具和電動車輛(Power Tools and Electric Vehicles):**
  在需要處理高功率和高電流的電動工具和電動車輛中,這款MOSFET可以作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件。其優(yōu)秀的電性能和穩(wěn)定的工作特性有助于提升設(shè)備的功率密度和運行效率。

3. **電源管理單元(Power Management Units):**
  在需要高效能量管理和穩(wěn)定電壓輸出的應(yīng)用中,如電源管理單元和電動機控制器中,60N55F3-VB MOSFET可以提供可靠的電源開關(guān)控制和功率管理。

4. **服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心(Servers and Data Centers):**
  在需要高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源供應(yīng)下,這款MOSFET可以應(yīng)用于服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的電源管理單元中,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和能效。

通過以上示例,60N55F3-VB MOSFET展示了其在高功率、高電流和高效能量管理應(yīng)用場景中的優(yōu)越性能,適合于電源模塊、電動工具、電動車輛、電源管理單元和數(shù)據(jù)中心等多個領(lǐng)域的關(guān)鍵電路設(shè)計。

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