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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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638Z-VB一款Single-P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 638Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號:** 638Z-VB  
**封裝:** SOT23-6  
**配置:** 單P溝道  
**VDS:** -30V  
**VGS:** 20(±V)  
**Vth:** -1.7V  
**RDS(ON):** 
- 54mΩ @ VGS=4.5V  
- 49mΩ @ VGS=10V  
**ID:** -4.8A  
**技術(shù):** Trench

638Z-VB是一款單P溝道MOSFET,采用SOT23-6小封裝,適用于低功率電路和便攜式設(shè)備。其特點包括-30V的漏極-源極電壓(VDS),20V的柵極-源極電壓(VGS),以及-1.7V的門限電壓(Vth)。具有優(yōu)異的導通特性,RDS(ON)在不同工作條件下分別為54mΩ(在VGS=4.5V時)和49mΩ(在VGS=10V時),并且支持最大漏極電流(ID)達到-4.8A。采用Trench技術(shù),保證了高效能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)                | 數(shù)值        |
|-------------------|-----------|
| 型號                | 638Z-VB   |
| 封裝                | SOT23-6   |
| 配置                | 單P溝道    |
| 漏極-源極電壓(VDS) | -30V      |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 20(±V)  |
| 門限電壓(Vth)      | -1.7V     |
| 導通電阻(RDS(ON))  | 54mΩ @ VGS=4.5V, 49mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏極電流(ID)   | -4.8A     |
| 技術(shù)                | Trench    |

### 應用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **便攜式電子設(shè)備(Portable Electronics):**
  638Z-VB適用于便攜式設(shè)備中的電源管理和信號開關(guān)電路,如智能手機、平板電腦、便攜式音頻設(shè)備等。其小封裝和低功耗特性使其能夠有效延長電池壽命和提升設(shè)備運行效率。

2. **低功率電源(Low-Power Power Supplies):**
  在需要高效能量轉(zhuǎn)換和緊湊設(shè)計的低功率電源中,638Z-VB可以用作電源開關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換器的關(guān)鍵部件,以實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源輸出。

3. **信號開關(guān)(Signal Switching):**
  在各種電子設(shè)備的信號開關(guān)電路中,這款MOSFET可以作為信號路由和開關(guān)控制器,確保信號傳輸?shù)母咚俸头€(wěn)定性。

通過以上示例,638Z-VB展示了其在便攜式電子設(shè)備、低功率電源和信號開關(guān)等多個領(lǐng)域中的廣泛應用,為電路設(shè)計提供了高性能和可靠性保障。

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