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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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6982M-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 6982M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. 產品簡介

6982M-VB 是一款雙N+N溝道場效應晶體管(MOSFET),采用Trench技術制造,適合需要高性能功率開關解決方案的應用場合。

### 2. 詳細參數(shù)說明

- **型號**: 6982M-VB
- **封裝**: SOP8
- **溝道類型**: 雙N+N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓(VGS)**: ±20V
- **門閾電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 20mΩ @ VGS = 4.5V
 - 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 8.5A
- **技術**: Trench

### 3. 應用示例

6982M-VB 在以下領域和模塊中具有廣泛的應用:

- **電源管理**: 在電源轉換器和穩(wěn)壓器中,6982M-VB 可以用作功率開關,支持高效率和低熱耗的電能轉換,適用于便攜式設備和電池供電系統(tǒng)。

- **電動工具**: 在需要高性能電機驅動和電源管理的電動工具中,6982M-VB 可以提供快速開關和低損耗,確保工具的高效運行和長壽命。

- **汽車電子**: 在汽車電子系統(tǒng)中,例如電池管理、電動汽車充電樁控制等,6982M-VB 可以用于高頻開關電路,提供可靠的功率控制和電流保護。

6982M-VB 的雙N+N溝道設計和低導通電阻特性使其適用于對效率和可靠性要求高的應用場合,能夠有效地提升系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。

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