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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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6N40L-TA3-T-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 6N40L-TA3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào):** 6N40L-TA3-T-VB  
**封裝:** TO220  
**配置:** 單-N-溝道  
**VDS:** 500V  
**VGS:** 30(±V)  
**Vth:** 3.1V  
**RDS(ON):** 660mΩ @ VGS=10V  
**ID:** 13A  
**技術(shù):** Plannar

6N40L-TA3-T-VB是一款單-N-溝道MOSFET,具有高電壓容忍度和較低的導(dǎo)通電阻,適合于需要穩(wěn)定性和高功率操作的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)                | 數(shù)值                |
|-------------------|-------------------|
| 型號(hào)                | 6N40L-TA3-T-VB     |
| 封裝                | TO220              |
| 配置                | 單-N-溝道             |
| 漏極-源極電壓(VDS) | 500V               |
| 柵極-源極電壓(VGS) | 30(±V)            |
| 門(mén)限電壓(Vth)      | 3.1V               |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))  | 660mΩ @ VGS=10V   |
| 最大漏極電流(ID)   | 13A                |
| 技術(shù)                | Plannar            |

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **工業(yè)電源(Industrial Power Supplies):**
  6N40L-TA3-T-VB適用于工業(yè)電源系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器,能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出。

2. **電動(dòng)車(chē)充電樁(Electric Vehicle Charging Stations):**
  在電動(dòng)車(chē)充電樁中,這款MOSFET可用于充電控制和電池管理系統(tǒng),支持高壓充電和功率轉(zhuǎn)換的需求。

3. **太陽(yáng)能逆變器(Solar Inverters):**
  在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中,6N40L-TA3-T-VB可以作為逆變器的關(guān)鍵組件,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,確保電能的高效利用。

4. **電力傳輸設(shè)備(Power Transmission Equipment):**
  在電力傳輸和配電設(shè)備中,這款MOSFET可以用于開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路,支持高壓和大電流的操作要求,提升設(shè)備的可靠性和效率。

5. **醫(yī)療設(shè)備(Medical Equipment):**
  在需要高電壓和穩(wěn)定電源的醫(yī)療設(shè)備中,如CT掃描儀和磁共振成像設(shè)備,6N40L-TA3-T-VB可用于電源管理和控制系統(tǒng)。

6N40L-TA3-T-VB的設(shè)計(jì)特性使其在工業(yè)電源、電動(dòng)車(chē)充電、太陽(yáng)能逆變器、電力傳輸設(shè)備和醫(yī)療設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域中具備廣泛的應(yīng)用潛力,能夠滿(mǎn)足復(fù)雜環(huán)境下的高性能需求。

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