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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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6N65L-TN3-T-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 6N65L-TN3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

VBsemi 6N65L-TN3-T-VB 是一款單N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,采用了SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,適用于高壓應(yīng)用。這款MOSFET具有穩(wěn)定的性能和高效率,非常適合需要可靠電路設(shè)計(jì)的應(yīng)用。

### 2. 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: 6N65L-TN3-T-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: 650V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±30V
- **Vth (閾值電壓)**: 3.5V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**: 1000mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: 5A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 3. 應(yīng)用示例

6N65L-TN3-T-VB 在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用:

- **電源管理**: 由于其高漏極-源極電壓和適中的漏極電流能力,6N65L-TN3-T-VB 可以用作開(kāi)關(guān)電源的主要開(kāi)關(guān)器件,確保高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出。

- **工業(yè)自動(dòng)化**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可以作為開(kāi)關(guān)裝置,用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)和執(zhí)行器,提供可靠的電路保護(hù)和高效的功率管理。

- **電動(dòng)車(chē)充電器**: 適用于電動(dòng)車(chē)充電器的開(kāi)關(guān)電源部分,保證高效能和安全的充電過(guò)程。

- **照明**: 在LED驅(qū)動(dòng)電路中,6N65L-TN3-T-VB 可以用于控制LED的功率和亮度,實(shí)現(xiàn)節(jié)能和長(zhǎng)壽命的照明解決方案。

這些應(yīng)用示例展示了 6N65L-TN3-T-VB 在各種工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域中的多功能性和可靠性,使其成為設(shè)計(jì)工程師在高壓電路設(shè)計(jì)中的優(yōu)選。

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