日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

6N95K5-VB TO220一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: 6N95K5-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 6N95K5-VB TO220 MOSFET Product Overview

**產(chǎn)品簡介詳述:**

6N95K5-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO220封裝。該MOSFET設計用于處理高電壓和電流,適用于多種高要求的應用場合。它具有900V的漏極-源極電壓(VDS)額定值和±30V的柵極-源極電壓(VGS)容限。門限電壓(Vth)為3.5V,確保了高效的開關性能。在VGS為10V時,其導通電阻RDS(on)為950mΩ,保證了低導通損耗。該器件能夠持續(xù)承受高達7A的漏極電流(ID),采用了SJ_Multi-EPI技術,結合了多晶硅和外延晶體管技術的優(yōu)勢。

### 6N95K5-VB TO220 MOSFET 詳細參數(shù)說明

**詳細參數(shù):**

- **器件配置:** 單N溝道
- **封裝類型:** TO220
- **漏極-源極電壓(VDS):** 900V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **門限電壓(Vth):** 3.5V
- **漏極-源極導通電阻(RDS(on)):**
 - VGS = 10V時:950mΩ
- **持續(xù)漏極電流(ID):** 7A
- **技術特點:** SJ_Multi-EPI(多晶硅外延晶體管技術)

### 適用領域和模塊示例

**應用領域和模塊:**

6N95K5-VB TO220 MOSFET適用于多種領域和模塊,包括:

1. **工業(yè)電源:**
  - 在工業(yè)設備的電源單元中使用,如變頻器、電力調(diào)節(jié)器和電動機驅(qū)動器,支持高電壓和高功率的應用。

2. **電力傳輸和分配:**
  - 用于電力輸送和配電系統(tǒng)中的電源開關和控制,確保電力網(wǎng)絡的穩(wěn)定和效率。

3. **電動車充電設備:**
  - 在電動汽車充電樁中使用,支持高壓直流充電系統(tǒng)的功率開關和控制,確保安全和高效的充電過程。

4. **太陽能逆變器:**
  - 在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中實現(xiàn)高效的DC-AC轉換,支持太陽能逆變器的穩(wěn)定運行和電能輸出。

5. **醫(yī)療設備:**
  - 在需要高電壓和高效率的醫(yī)療設備中使用,如高頻電療設備和影像診斷設備。

6. **電力照明系統(tǒng):**
  - 在大功率LED照明系統(tǒng)中用于功率開關和控制,支持室外照明和街道燈的穩(wěn)定和高效能運行。

通過將6N95K5-VB TO220 MOSFET集成到這些領域和模塊中,設計者可以實現(xiàn)更高的性能、可靠性和能效,滿足復雜電子系統(tǒng)的需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業(yè)核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    780瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    638瀏覽量
鄄城县| 肃北| 九寨沟县| 忻州市| 东兴市| 安图县| 广东省| 响水县| 旬阳县| 雷山县| 江西省| 方山县| 鹤壁市| 迭部县| 翼城县| 威宁| 扶绥县| 吉安县| 大关县| 乃东县| 阜城县| 汉川市| 宁陵县| 枝江市| 嘉荫县| 泰顺县| 固原市| 淮北市| 衢州市| 清远市| 达拉特旗| 湄潭县| 双牌县| 密云县| 洛浦县| 淅川县| 旬阳县| 舟山市| 建始县| 松潘县| 民丰县|