--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
6NB80-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220 封裝,適合于中高壓應(yīng)用環(huán)境。它具備穩(wěn)定的電性能和高效的能量轉(zhuǎn)換能力,適用于各種需要可靠開(kāi)關(guān)性能的電力電子系統(tǒng)。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: 6NB80-VB
- **封裝**: TO220
- **類(lèi)型**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 800V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1300mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術(shù)**: SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
1. **電源開(kāi)關(guān)**:
- **描述**: 6NB80-VB 可以作為電源開(kāi)關(guān)器件,用于各種類(lèi)型的開(kāi)關(guān)電源中,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率輸出。
- **示例**: 電腦電源、通訊設(shè)備的電源管理模塊。
2. **電動(dòng)車(chē)輛充電器**:
- **描述**: 在電動(dòng)車(chē)輛充電器中,該 MOSFET 可以用于高效能的電力轉(zhuǎn)換,支持快速充電和高功率輸出。
- **示例**: 電動(dòng)汽車(chē)充電樁、電動(dòng)車(chē)充電器模塊。
3. **太陽(yáng)能逆變器**:
- **描述**: 適用于太陽(yáng)能逆變器系統(tǒng)中的關(guān)鍵開(kāi)關(guān)元件,確保高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電能輸出。
- **示例**: 太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的逆變器模塊、光伏電池逆變器。
4. **高壓照明系統(tǒng)**:
- **描述**: 6NB80-VB 可用于工業(yè)和商業(yè)場(chǎng)所的高壓照明系統(tǒng),提供穩(wěn)定和高效的照明解決方案。
- **示例**: 高壓LED燈具、工業(yè)車(chē)間的照明設(shè)施。
5. **電力管理系統(tǒng)**:
- **描述**: 在電力管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以作為關(guān)鍵的電力開(kāi)關(guān)和控制元件,管理電能傳輸和轉(zhuǎn)換。
- **示例**: 數(shù)據(jù)中心的電力分配模塊、工業(yè)設(shè)備的電力控制系統(tǒng)。
6NB80-VB 在各種高壓、大電流的應(yīng)用場(chǎng)合中展示了其優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性,適合于要求高效能和可靠性的電力電子設(shè)備。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛