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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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6R1K4C6-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 6R1K4C6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳述:

MOSFET型號:6R1K4C6-VB TO252  
封裝:TO252  
構(gòu)型:單N溝道  
耐壓(VDS):650V  
柵極-源極電壓(VGS):±30V  
閾值電壓(Vth):3.5V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):1000mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):5A  
技術(shù):SJ_Multi-EPI  

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**:TO252,適合中小功率的表面貼裝應(yīng)用。
- **構(gòu)型**:單N溝道設(shè)計(jì),用于需要較高耐壓但中等功率需求的電路。
- **耐壓**:650V,適用于電源逆變器和其他功率轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)和控制。
- **柵極驅(qū)動(dòng)**:支持高達(dá)±30V的柵極-源極電壓,適合于工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備的控制需求。
- **閾值電壓**:3.5V,確??煽康拈_啟和關(guān)閉特性。
- **導(dǎo)通電阻**:1000mΩ @ VGS=10V,適中的導(dǎo)通電阻用于較低功率的電流控制應(yīng)用。
- **漏極電流**:5A,適合于中等電流負(fù)載的開關(guān)和驅(qū)動(dòng)。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源逆變器**:6R1K4C6-VB TO252 MOSFET 可以用于低功率逆變器中,如家用逆變器和太陽能逆變器,通過控制電流和電壓提高能源轉(zhuǎn)換效率。

2. **LED驅(qū)動(dòng)器**:在LED照明應(yīng)用中,這種MOSFET可以作為開關(guān)和調(diào)節(jié)裝置,幫助實(shí)現(xiàn)燈光的高效控制和調(diào)節(jié)。

3. **消費(fèi)電子**:適用于筆記本電腦和平板電腦的電源管理,通過控制電池充電和放電來優(yōu)化設(shè)備的電源效率和續(xù)航能力。

4. **電動(dòng)工具**:用于控制電動(dòng)工具的電機(jī)速度和功率輸出,幫助提高工作效率和性能穩(wěn)定性。

這些示例展示了6R1K4C6-VB TO252 MOSFET在不同領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用,強(qiáng)調(diào)了其在中小功率電子系統(tǒng)中的有效性和適用性。

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