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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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75545S-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 75545S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:

MOSFET型號(hào):75545S-VB  
封裝:TO263  
配置:單N溝道  
耐壓(VDS):80V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):3V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):10mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):120A  
技術(shù):Trench

### 參數(shù)說明:

- **封裝類型(Package):** TO263,適合中功率應(yīng)用,具有良好的散熱性能和較高的功率處理能力。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于開關(guān)和線性控制應(yīng)用。
- **耐壓(VDS):** 80V,適合中等電壓應(yīng)用場(chǎng)合。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V,支持廣泛的驅(qū)動(dòng)電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 3V,適合需求較高的開關(guān)電路和功率管理系統(tǒng)。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 
 - 10mΩ @ VGS=4.5V,在低驅(qū)動(dòng)電壓下的導(dǎo)通電阻。
 - 6mΩ @ VGS=10V,在標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電壓下的更低導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 120A,能夠處理大電流負(fù)載,適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)合。
- **技術(shù)特性(Technology):** Trench,采用溝道(Trench)結(jié)構(gòu),提升了器件的性能和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **電動(dòng)車輛:** 75545S-VB可用于電動(dòng)車輛的電機(jī)控制和電池管理系統(tǒng)中,支持高功率的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池充電管理,提升車輛的性能和續(xù)航能力。

2. **工業(yè)電源系統(tǒng):** 在工業(yè)自動(dòng)化和電源系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于高效率的開關(guān)電源設(shè)計(jì),以及工業(yè)設(shè)備的電流調(diào)節(jié)和保護(hù)。

3. **服務(wù)器和通信設(shè)備:** 適用于服務(wù)器和通信設(shè)備中的高頻開關(guān)電源,支持高速數(shù)據(jù)處理和穩(wěn)定的電源供應(yīng)。

75545S-VB展示了其在高電流和中等電壓條件下的優(yōu)異性能,適用于需要高效能和可靠性的各種應(yīng)用場(chǎng)合。

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