日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

71240E-VB一款Single-N溝道SOT669的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 71240E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT669
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

MOSFET型號(hào):71240E-VB  
封裝:SOT669  
配置:?jiǎn)蜰溝道  
耐壓(VDS):40V  
柵極-源極電壓(VGS):±20V  
閾值電壓(Vth):1.4V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):2.4mΩ @ VGS=4.5V, 2mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):100A  
技術(shù):Trench

### 參數(shù)說(shuō)明:

- **封裝類型(Package):** SOT669,適合小型電路板應(yīng)用,具有緊湊的封裝尺寸和良好的散熱特性。
- **配置(Configuration):** 單N溝道,適用于開(kāi)關(guān)和線性控制應(yīng)用。
- **耐壓(VDS):** 40V,適合低電壓應(yīng)用場(chǎng)合。
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V,支持廣泛的驅(qū)動(dòng)電壓范圍。
- **閾值電壓(Vth):** 1.4V,確??煽康拈_(kāi)關(guān)操作。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 
 - 2.4mΩ @ VGS=4.5V,在低驅(qū)動(dòng)電壓下的導(dǎo)通電阻。
 - 2mΩ @ VGS=10V,在標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電壓下的更低導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱損失。
- **漏極電流(ID):** 100A,能夠處理大電流負(fù)載。
- **技術(shù)特性(Technology):** Trench,采用溝道(Trench)結(jié)構(gòu),提升了器件的性能和可靠性。

### 應(yīng)用示例:

1. **電動(dòng)工具和家用電器:** 71240E-VB適用于電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理,如電動(dòng)剪刀、吸塵器等,提供高效能和長(zhǎng)壽命。
  
2. **電池管理系統(tǒng):** 在移動(dòng)設(shè)備和電動(dòng)車輛的電池管理系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電池充放電控制和功率轉(zhuǎn)換,優(yōu)化能源使用和延長(zhǎng)電池壽命。
  
3. **電源開(kāi)關(guān)和穩(wěn)壓模塊:** 由于其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻特性,適合用于電源開(kāi)關(guān)和穩(wěn)壓模塊,如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和服務(wù)器電源系統(tǒng),確保設(shè)備的高效穩(wěn)定運(yùn)行。

這些示例展示了71240E-VB在不同領(lǐng)域和應(yīng)用模塊中的廣泛應(yīng)用,顯示出其在高電流和低壓降條件下的優(yōu)異性能和可靠性。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    780瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    638瀏覽量
斗六市| 无锡市| 澎湖县| 仪陇县| 天全县| 朝阳区| 道孚县| 维西| 阳泉市| 邵武市| 屏南县| 沈阳市| 年辖:市辖区| 宿州市| 宽甸| 滨海县| 元谋县| 永胜县| 改则县| 贵州省| 阳西县| 贵溪市| 呼和浩特市| 全南县| 昌吉市| 黎城县| 葵青区| 永善县| 武乡县| 老河口市| 司法| 霍州市| 崇文区| 加查县| 朝阳市| 开阳县| 平凉市| 高州市| 嵩明县| 大名县| 临江市|