日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

76143S-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 76143S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介詳述:
76143S-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO263封裝。它設(shè)計(jì)用于應(yīng)對(duì)高性能需求,具備30V的漏極-源極電壓(VDS)、20V的柵極-源極電壓(VGS,可正負(fù))、1.7V的低閾值電壓(Vth),以及非常低的導(dǎo)通電阻。在4.5V的柵極-源極電壓下,導(dǎo)通電阻為2.7mΩ,在10V時(shí)為2.4mΩ。該器件最大漏極電流(ID)為98A,采用先進(jìn)的Trench技術(shù),提供優(yōu)異的導(dǎo)通特性和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:
- **封裝類(lèi)型:** TO263
- **溝道類(lèi)型:** 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 30V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 2.7mΩ @ VGS=4.5V, 2.4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID):** 98A
- **技術(shù):** Trench

### 應(yīng)用舉例:
1. **電源模塊和電源分配系統(tǒng):** 76143S-VB適用于高功率密度的直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器,如服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的電源管理模塊,確保高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電力輸出。

2. **電動(dòng)工具和電動(dòng)汽車(chē):** 在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,該型號(hào)MOSFET可用于電池組的充放電管理,提供高效的功率開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)。

3. **工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:** 在工業(yè)控制器和驅(qū)動(dòng)器中,76143S-VB能夠處理高電流負(fù)載和頻繁的開(kāi)關(guān)操作,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。

4. **通信設(shè)備:** 作為射頻功率放大器的關(guān)鍵部件,該型號(hào)MOSFET支持高頻率的信號(hào)處理和發(fā)射,提高通信設(shè)備的性能和覆蓋范圍。

76143S-VB以其高效能和優(yōu)秀的導(dǎo)通特性,在多個(gè)領(lǐng)域中都有廣泛的應(yīng)用,特別是需要高功率密度和高效能轉(zhuǎn)換的電子系統(tǒng)和設(shè)備中。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    780瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    638瀏覽量
文水县| 南溪县| 安福县| 汤阴县| 大冶市| 咸丰县| 宁津县| 县级市| 洛阳市| 靖远县| 石台县| 平和县| 阿克陶县| 安义县| 竹山县| 城固县| 浦县| 阳朔县| 榆中县| 郑州市| 平山县| 澜沧| 塘沽区| 蓬安县| 盐城市| 永新县| 公安县| 随州市| 东丽区| 涪陵区| 商水县| 惠州市| 德保县| 乐山市| 宝坻区| 沙坪坝区| 安龙县| 隆回县| 措勤县| 阿图什市| 阿拉善右旗|