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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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76619D-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 76619D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

VBsemi 76619D-VB 是一款單通道 N 型功率 MOSFET,采用了Trench溝槽結(jié)構(gòu)技術(shù),設(shè)計(jì)用于中壓應(yīng)用。該器件具備100V的漏極-源極電壓(VDS),以及20V的最大柵極-源極電壓(VGS)范圍。優(yōu)化的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)特性使其適用于需要中等電流和快速開(kāi)關(guān)的功率控制電路。

### 2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **包裝類型(Package)**:TO252
- **結(jié)構(gòu)配置(Configuration)**:?jiǎn)?N 型通道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:100V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.8V(典型)
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 57mΩ @ VGS = 4.5V
 - 55mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:25A
- **技術(shù)特性(Technology)**:Trench(溝槽結(jié)構(gòu)技術(shù))

### 3. 應(yīng)用舉例:

76619D-VB TO252 在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛應(yīng)用:

- **電源逆變器**:適用于中壓逆變器中的功率開(kāi)關(guān)和電流控制,可提供高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出電壓。
 
- **電動(dòng)車充電樁**:在電動(dòng)車充電設(shè)施中,用于電池充電控制和電能管理,提供可靠的充電效率和安全性。

- **工業(yè)自動(dòng)化**:用于工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理單元,確保設(shè)備的高效運(yùn)行和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

以上示例展示了該產(chǎn)品在電源逆變器、電動(dòng)車充電樁和工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中的應(yīng)用潛力,體現(xiàn)了其在高電壓、中電流和低導(dǎo)通電阻要求下的優(yōu)越性能和廣泛適用性。

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