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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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925A-VB一款Common Drain-N+N溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 925A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TSSOP8
  • 溝道 Common Drain-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介詳細(xì)

VBsemi MOSFET 925A-VB 是一款封裝為TSSOP8的MOSFET,配置為共源極-N+N-溝道型。它具有以下主要特性:

- **VDS (漏極-源極電壓)**: 20V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (門槽電壓閾值)**: 0.5~1.5V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通時漏極-源極電阻)**:
 - 32mΩ @ VGS=2.5V
 - 22mΩ @ VGS=4.5V
- **ID (漏極電流)**: 6.6A
- **技術(shù)**: 溝道型

### 2. 參數(shù)說明

- **封裝**: TSSOP8
- **電壓參數(shù)**:
 - 最大漏極-源極電壓 (VDS): 20V
 - 最大柵極-源極電壓 (VGS): ±20V
- **性能參數(shù)**:
 - 閾值電壓 (Vth): 0.5~1.5V
 - 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):
   - 32mΩ @ VGS=2.5V
   - 22mΩ @ VGS=4.5V
- **電流參數(shù)**:
 - 最大漏極電流 (ID): 6.6A
- **技術(shù)**: Trench 溝道技術(shù)

### 3. 應(yīng)用示例

925A-VB MOSFET 適用于多種領(lǐng)域和模塊,例如:

- **電源管理**: 由于其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力,特別適用于開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器的電源開關(guān)部分。
- **電池管理**: 在便攜設(shè)備和電池驅(qū)動模塊中,可用于有效控制電池充放電流。
- **驅(qū)動器**: 作為電機(jī)驅(qū)動器中的開關(guān)元件,能夠提供高效的電動車輛和工業(yè)機(jī)械系統(tǒng)控制。

這些示例展示了925A-VB MOSFET 在能源管理、電池管理和驅(qū)動器中的廣泛應(yīng)用。

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