--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、95N3LLH6-VB 型號(hào)的產(chǎn)品簡(jiǎn)介
VBsemi 95N3LLH6-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造。該MOSFET具有30V的漏極-源極電壓耐受能力,適合用于低電壓電源管理和開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用。TO220封裝設(shè)計(jì)提供了良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性,適用于高電流密度應(yīng)用場(chǎng)合。
### 二、95N3LLH6-VB 型號(hào)的詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| 參數(shù)名稱(chēng) | 參數(shù)值 |
|----------------|---------------------------|
| 封裝 | TO220 |
| 配置 | 單N溝道 |
| VDS | 30V |
| VGS | ±20V |
| Vth | 1.7V |
| RDS(ON)@VGS=4.5V | 4mΩ |
| RDS(ON)@VGS=10V | 3mΩ |
| ID | 120A |
| 技術(shù) | 溝槽(Trench) |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**電動(dòng)工具和電動(dòng)車(chē)輛:**
95N3LLH6-VB 可以作為電動(dòng)工具和電動(dòng)車(chē)輛中電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵組件,用于電機(jī)控制和電源管理。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力有助于提高電動(dòng)設(shè)備的效率和性能。
**電源模塊和穩(wěn)壓器:**
在電源模塊和穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)中,95N3LLH6-VB 可以用作電源開(kāi)關(guān)和電壓調(diào)節(jié)器的關(guān)鍵部件,確保電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和高效能輸出。
**工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:**
95N3LLH6-VB 在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中廣泛應(yīng)用于電源管理和控制系統(tǒng),如機(jī)器人控制、PLC系統(tǒng)和傳感器接口電路。其高電流承載能力和優(yōu)秀的熱管理特性確保設(shè)備在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中的可靠性和穩(wěn)定性。
**電源逆變器和功率放大器:**
由于其TO220封裝和優(yōu)秀的電氣特性,95N3LLH6-VB 可以用于功率逆變器和功率放大器中,如音頻放大器、電力放大器和電動(dòng)工具的電源逆變器,提供高效能的功率轉(zhuǎn)換和控制能力。
綜上所述,95N3LLH6-VB 由于其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻特性,在電動(dòng)工具、電動(dòng)車(chē)輛、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、電源模塊和逆變器等多個(gè)領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用潛力,能夠?yàn)楦鞣N電子設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的電力管理解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛