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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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9920GEO-VB一款Common Drain-N+N溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 9920GEO-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TSSOP8
  • 溝道 Common Drain-N+N溝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 9920GEO-VB MOSFET

#### 一、產(chǎn)品簡介
9920GEO-VB 是一款雙N溝道共漏MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造,封裝為TSSOP8。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流容許值,適用于需要高效率和高功率密度的電子應(yīng)用。

#### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明

- **型號**: 9920GEO-VB
- **封裝**: TSSOP8
- **配置**: 雙N溝道共漏
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 19mΩ @ VGS=4.5V
 - 12mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 8.6A
- **技術(shù)**: Trench

#### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實例

9920GEO-VB MOSFET 在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用:

1. **電源管理**: 適用于電源開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和功率逆變器的設(shè)計。其低導(dǎo)通電阻和高電流容許值使其在高效能電源系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。

2. **電池管理**: 作為充電和放電過程中電池保護(hù)和管理電路的關(guān)鍵組件,例如便攜式電子設(shè)備和電動工具中的電池管理系統(tǒng)。

3. **汽車電子**: 在汽車電子控制單元(ECU)中,用于發(fā)動機(jī)管理、動力總成控制和電動車輛的驅(qū)動系統(tǒng)。其高電流容許和低導(dǎo)通電阻特性使其在汽車電子中具有重要應(yīng)用。

4. **工業(yè)自動化**: 用于工業(yè)控制設(shè)備、自動化系統(tǒng)和機(jī)器人中的電力電子開關(guān)和電流控制器。在需要可靠性和高功率處理能力的工業(yè)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

9920GEO-VB 結(jié)合了先進(jìn)的Trench技術(shù)和優(yōu)異的電性能,為各種需要高功率密度和可靠性的電子設(shè)備和系統(tǒng)提供了穩(wěn)定和高效的解決方案。

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