日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

9928GEM-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 9928GEM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 9928GEM-VB MOSFET

#### 一、產(chǎn)品簡介
9928GEM-VB 是一款雙N溝道共漏MOSFET,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造,封裝為SOP8。它具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性和穩(wěn)定性,適用于需要高效能和高可靠性的電子應(yīng)用。

#### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明

- **型號(hào)**: 9928GEM-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙N溝道共漏
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 26mΩ @ VGS=4.5V
 - 19mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 7.1A
- **技術(shù)**: Trench

#### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實(shí)例

9928GEM-VB MOSFET 在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用:

1. **電源管理**: 適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源和電池管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)控制器。其低導(dǎo)通電阻和高電流容許值使其在高效率能源轉(zhuǎn)換中表現(xiàn)出色。

2. **電動(dòng)工具和家用電器**: 用于電動(dòng)工具、家電和小型電動(dòng)車的驅(qū)動(dòng)電路。其穩(wěn)定的性能和高電流承受能力使其成為電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理的理想選擇。

3. **汽車電子**: 在車載電子系統(tǒng)中,如照明控制、電動(dòng)座椅控制和車內(nèi)娛樂系統(tǒng)中的電源開關(guān)和電流控制器。在汽車電子中要求可靠性高、耐久性強(qiáng)的應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)突出。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**: 用于工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化設(shè)備和電力分配系統(tǒng)中的功率開關(guān)和電流調(diào)節(jié)器。在需要長期穩(wěn)定運(yùn)行和高負(fù)載承受能力的工業(yè)環(huán)境中廣泛應(yīng)用。

9928GEM-VB 結(jié)合了Trench技術(shù)的先進(jìn)性和MOSFET的優(yōu)異性能,為各種高功率、高效率的電子應(yīng)用提供了可靠的解決方案。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    779瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    637瀏覽量
革吉县| 榆林市| 蒲江县| 平邑县| 九龙县| 如皋市| 蒲城县| 吉林省| 木里| 彩票| 景宁| 石首市| 香河县| 南城县| 翼城县| 兴山县| 方正县| 交城县| 栾城县| 邵东县| 清新县| 交城县| 乌恰县| 内丘县| 辽宁省| 巴南区| 汕头市| 瑞丽市| 邵阳市| 宣汉县| 淅川县| 遵义市| 方正县| 宁晋县| 襄汾县| 微博| 临夏市| 杭锦后旗| 凌海市| 永州市| 正宁县|