--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
9971AGP-VB是一款先進的單N溝道MOSFET,封裝形式為TO-220。該型號的設(shè)計旨在滿足高效能和高可靠性的需求,適用于各種應(yīng)用場景。憑借其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,這款MOSFET能夠在嚴(yán)苛的條件下提供卓越的性能和穩(wěn)定性。
### 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**: TO-220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS=4.5V
- 24mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 50A
- **技術(shù)類型**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
9971AGP-VB MOSFET廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域和模塊,以下是幾個具體示例:
1. **電源管理系統(tǒng)**:
- 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中,9971AGP-VB可作為開關(guān)元件,提供高效的電能轉(zhuǎn)換,降低功耗,提高系統(tǒng)效率。
2. **汽車電子**:
- 該MOSFET適用于電動汽車中的電池管理系統(tǒng)和驅(qū)動電路,能有效地處理高電流和高電壓,提升車輛的整體性能和安全性。
3. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:
- 在工業(yè)自動化控制系統(tǒng)中,用于電機驅(qū)動和控制電路,9971AGP-VB能提供高可靠性和高效能,保證設(shè)備的穩(wěn)定運行。
4. **消費電子**:
- 適用于智能家居設(shè)備中的電源模塊,如智能插座、智能開關(guān)等,通過其低導(dǎo)通電阻,減少設(shè)備發(fā)熱,提高能效。
通過這些應(yīng)用實例,可以看出9971AGP-VB MOSFET憑借其優(yōu)異的電氣特性和可靠的性能,能在各種需要高效率和高可靠性的場景中發(fā)揮重要作用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12