--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(3X3)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、AON3408-VB產(chǎn)品簡介
AON3408-VB是一款單N溝道MOSFET,采用DFN8(3X3)封裝,適用于中功率和低壓應(yīng)用。該器件具有30V的漏源電壓(VDS)、±20V的柵源電壓(VGS)和1.7V的閾值電壓(Vth)。在VGS為10V時,其導(dǎo)通電阻為8mΩ,支持最大13A的漏極電流(ID)。采用Trench技術(shù)制造,具備較低的導(dǎo)通電阻和良好的熱特性,適合于需要高效能和中等功率的應(yīng)用環(huán)境。
### 二、AON3408-VB詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝類型**:DFN8(3X3)
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:13A
- **技術(shù)**:Trench

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
AON3408-VB MOSFET適用于多種中功率和低壓應(yīng)用領(lǐng)域:
1. **電源管理**:
- **低壓直流-直流轉(zhuǎn)換器**:在移動設(shè)備和電源適配器中,用于高效率的電源轉(zhuǎn)換和電池管理。
- **電池保護和管理**:在便攜式電子設(shè)備中,用于電池保護和充電管理電路。
2. **汽車電子**:
- **電動汽車**:在車輛電子系統(tǒng)中,用于電動汽車電池管理和動力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
3. **工業(yè)控制**:
- **中功率電機控制**:在工業(yè)自動化和機器人控制系統(tǒng)中,用于中功率電機的高效控制和變頻驅(qū)動。
4. **消費類電子**:
- **平板電腦和筆記本電腦**:在消費類電子設(shè)備中,用于電源管理和高效率電能轉(zhuǎn)換。
AON3408-VB MOSFET以其中等功率處理能力、低導(dǎo)通電阻和良好的熱特性,特別適用于需要中等功率和高效率的電子應(yīng)用場合。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12