日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

AP20P02GH-VB一款Single-P溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AP20P02GH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

AP20P02GH-VB 是一款單 P-溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET),采用Trench工藝制造。該器件適用于高性能功率開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用,具有-30V的漏極-源極電壓(VDS)額定值和最大-38A的漏極電流(ID)容量。

### 2. 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: AP20P02GH-VB
- **封裝**: TO252
- **通道類型**: 單 P-溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: -30V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (閾值電壓)**: -1.7V
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**:
 - 46mΩ @ VGS = 4.5V
 - 33mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: -38A
- **技術(shù)**: Trench

### 3. 應(yīng)用示例

AP20P02GH-VB 可適用于以下領(lǐng)域和模塊:

- **電源管理**: 由于其高漏極電流容量和低導(dǎo)通電阻特性,適合用作電源開(kāi)關(guān)和電源管理系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,特別是在需要處理低電壓和大電流的應(yīng)用中。

- **電動(dòng)車輛**: 在電動(dòng)車輛中,可用于電池管理系統(tǒng)和電動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng),確保高效能和可靠的電動(dòng)車輛性能。

- **電源適配器**: 在各類電源適配器和開(kāi)關(guān)電源電路中,用于提供穩(wěn)定的電源輸出和高效的能源轉(zhuǎn)換。

- **工業(yè)控制**: 用于工業(yè)設(shè)備和控制系統(tǒng)中的功率開(kāi)關(guān)和逆變器,以提供可靠的功率控制和管理。

AP20P02GH-VB 的高電流和低導(dǎo)通電阻特性使其在需要處理大電流和高效率能源轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    774瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    634瀏覽量
武定县| 新民市| 崇文区| 方山县| 木里| 安国市| 西安市| 英超| 盖州市| 新竹县| 红原县| 土默特左旗| 怀柔区| 军事| 开化县| 建阳市| 建宁县| 龙州县| 南城县| 通许县| 沙雅县| 罗江县| 玛纳斯县| 苏尼特右旗| 平定县| 庆城县| 朝阳县| 姚安县| 呼伦贝尔市| 喀喇沁旗| 宜良县| 吴川市| 晴隆县| 东兴市| 水城县| 策勒县| 建瓯市| 北海市| 黄骅市| 彝良县| 民权县|