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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AP4533M-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AP4533M-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1. 產(chǎn)品簡介詳細(xì):

AP4533M-VB 是一款雙 N 溝道 + P 溝道 MOSFET,采用 SOP8 封裝,適用于高性能功率管理應(yīng)用。該器件結(jié)合了高 VDS(±30V)和低 RDS(ON) 的特性,以及優(yōu)化的開關(guān)特性,非常適合要求高效能和高可靠性的電源系統(tǒng)設(shè)計。

### 2. 詳細(xì)的參數(shù)說明:

- **封裝類型**: SOP8
- **通道類型**: 雙 N 溝道 + P 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: ±30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V(N 溝道),-1.7V(P 溝道)
- **導(dǎo)通時的靜態(tài)電阻 (RDS(ON))**:
 - @ VGS = 4.5V: 13mΩ (N 溝道), 28mΩ (P 溝道)
 - @ VGS = 10V: 11mΩ (N 溝道), 21mΩ (P 溝道)
- **漏極電流 (ID)**:
 - 最大值: 10A (N 溝道), -8A (P 溝道)
- **技術(shù)特點**: Trench 結(jié)構(gòu),提升了開關(guān)速度和功率密度

### 3. 應(yīng)用示例:

- **電源管理模塊**: AP4533M-VB 的高 VDS 和低 RDS(ON) 特性使其在開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色,能夠有效降低導(dǎo)通損耗和提升效率。
 
- **電池保護電路**: 由于其雙 N 溝道 + P 溝道結(jié)構(gòu),適合用于電池管理系統(tǒng)中的充放電保護開關(guān),保證電池使用安全和效率。

- **工業(yè)自動化控制**: 在工業(yè)自動化設(shè)備的功率開關(guān)模塊中,AP4533M-VB 的高電壓容忍度和穩(wěn)定性能,確保設(shè)備的可靠運行和長期穩(wěn)定性。

這些示例展示了 AP4533M-VB 在不同領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用,體現(xiàn)了其在功率管理和電源控制領(lǐng)域的重要性和實用性。

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