--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOP8
- 單電源電壓: 2.7 至 3.6V
- 接口 帶 SDR 模式的 SPI/QPI
- 性能 時鐘速率高達(dá)
- 工作溫度范圍 -40°C 至 +85°C
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
LY68L6400SLIT 64M 位串行偽 SRAM,帶 SPI 和 QPI
特點
? 50Ω 輸出驅(qū)動強(qiáng)度 LVCMOS。
? 線性脈沖串(連續(xù))或 32 字節(jié)包裹
線性突發(fā)(連續(xù))或 32 字節(jié)包裹突發(fā)(通過切換命令)。
? 支持高達(dá) 84MHz 的線性突發(fā),只要有 tCEM,就可以跨頁邊界。
只要滿足 tCEM,即可跨頁邊界。
? 軟件復(fù)位。
? 提供綠色封裝
? 封裝:8 引腳 150mil SOP
8 引腳 2mm x 3mm DFN
規(guī)格
? 單電源電壓:
? VCC=2.7 至 3.6V
? 接口: 帶 SDR 模式的 SPI/QPI
? 性能: 時鐘速率高達(dá)
133MHz(非頁面邊界交叉)
84MHz(頁面邊界交叉)
? 組織: 64Mb,8M x 8 位
? 可尋址位范圍: A[22:0]
? 頁面大?。?024 字節(jié)
? 刷新: 自管理
? 工作溫度范圍
? TC = -40°C 至 +85°C
? 最大待機(jī)電流:
? 200μA @ 85°C

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