--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介詳述:
AP9974GS-VB 是一款單通道 N 溝道場效應(yīng)管(MOSFET),采用溝道技術(shù),適用于高功率應(yīng)用。它具有高達60V的漏極-源極電壓(VDS),最大漏極電流(ID)為75A。這款 MOSFET 的特點之一是其低導(dǎo)通電阻,具體數(shù)值如下:
- 在 VGS = 4.5V 時,導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 為 12mΩ
- 在 VGS = 10V 時,導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 為 11mΩ
它的閾值電壓(Vth)為1.7V,工作時的門源電壓范圍為±20V。
### 詳細參數(shù)說明:
- **型號**: AP9974GS-VB
- **封裝**: TO263
- **通道類型**: 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**: 60V
- **門源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V 時,RDS(ON) = 12mΩ
- VGS = 10V 時,RDS(ON) = 11mΩ
- **最大漏極電流(ID)**: 75A
- **技術(shù)**: 溝道技術(shù)(Trench)

### 應(yīng)用示例:
1. **電源管理**:
在高效率的 DC-DC 變換器中,AP9974GS-VB 的低導(dǎo)通電阻和高漏極電流能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)換,適用于要求高效率和高功率密度的應(yīng)用。
2. **電機驅(qū)動**:
由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,這款 MOSFET 可以用于電機驅(qū)動系統(tǒng),如電動車輛和工業(yè)機械中的電機控制。
3. **電源開關(guān)**:
在高電壓電源開關(guān)中,AP9974GS-VB 的高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻使其成為一個可靠的選擇,能夠處理高功率和高頻率的開關(guān)需求。
4. **電池管理**:
在鋰電池管理系統(tǒng)中,這款 MOSFET 可以用于電池保護電路和充放電控制,確保電池的安全和效率。
5. **LED 照明**:
用于高功率 LED 驅(qū)動器中,以其高電流處理能力和低損耗特性,支持 LED 燈具的高效能驅(qū)動。
這些示例展示了 AP9974GS-VB 在多個領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用,從而體現(xiàn)了其在高功率應(yīng)用中的優(yōu)越性能和靈活性。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12