--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介詳細(xì):
APM3055NG-VB 是一款高性能的單路N溝道場效應(yīng)管,采用先進(jìn)的Trench技術(shù)制造,封裝為TO263。該器件具有30V的漏極-源極電壓(VDS),適用于低至中等電壓范圍的電路設(shè)計。其在不同柵極-源極電壓(VGS)下具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),例如在VGS=4.5V時為18mΩ,在VGS=10V時為12mΩ,使其在低電壓控制條件下也能提供高效能。此外,APM3055NG-VB 的最大漏極電流(ID)為50A,適合需要中等電流處理能力的應(yīng)用場合。
### 詳細(xì)的參數(shù)說明:
- **型號**: APM3055NG-VB
- **封裝**: TO263
- **構(gòu)型**: 單路N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓(VGS)**: ±20V
- **開啟電壓(Vth)**: 1.7V
- **漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS=4.5V
- 12mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 50A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **電源管理**:適用于各種電源管理系統(tǒng),如DC-DC轉(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出,確保設(shè)備的可靠運(yùn)行。
2. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:如筆記本電腦、電源適配器和充電器,能夠在低壓條件下提供高效能和長時間的電源供應(yīng),提升產(chǎn)品的性能和用戶體驗。
3. **通信設(shè)備**:用于通信基站、網(wǎng)絡(luò)路由器和交換機(jī)中的功率放大器和電源控制單元,確保設(shè)備在高負(fù)載下的穩(wěn)定性和高效能。
4. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中作為關(guān)鍵的電源開關(guān)和功率控制器件,如電動車窗、座椅調(diào)節(jié)器和中控系統(tǒng),提供穩(wěn)定可靠的電力支持。
5. **工業(yè)自動化**:適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動和高功率開關(guān)設(shè)備,如自動化生產(chǎn)線和工業(yè)機(jī)器人,確保設(shè)備的高效運(yùn)行和長時間穩(wěn)定性。
通過這些應(yīng)用場景的例子,可以看出APM3055NG-VB 在各種需要低至中等電壓、高功率輸出和穩(wěn)定電流控制的電子和電氣設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用潛力和實際價值。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12