--- 產品參數 ---
- 封裝 Single-N
- 溝道 TO263
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AUF1405ZS-VB是一款高性能N通道MOSFET,封裝形式為TO263,采用Trench技術。設計用于高電流和高功率應用,這款MOSFET能夠在60V的漏源電壓下穩(wěn)定工作,并支持高達210A的漏極電流。其低導通電阻使得它在功率密集型應用中表現優(yōu)異,適合用于高效能和高可靠性的電子設計。
### 詳細參數說明
| 參數 | 值 |
|----------------------|---------------------------|
| **產品型號** | AUF1405ZS-VB |
| **封裝形式** | TO263 |
| **配置** | 單通道N溝道 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 60V |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 3V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 12mΩ@VGS=4.5V / 3.2mΩ@VGS=10V |
| **漏極電流 (ID)** | 210A |
| **技術** | Trench |

### 應用領域和模塊舉例
1. **電源管理**
- **高功率DC-DC轉換器**:AUF1405ZS-VB的高電流承載能力和極低的導通電阻使其非常適合用于高功率DC-DC轉換器。這款MOSFET可以有效管理高電流電源轉換過程,提升系統(tǒng)的整體效率和穩(wěn)定性。
- **電源開關**:在需要高電流開關控制的電源管理應用中,這款MOSFET能夠提供穩(wěn)定和可靠的開關性能,確保電源系統(tǒng)的高效運行。
2. **工業(yè)控制**
- **電機驅動**:AUF1405ZS-VB適用于工業(yè)電機控制系統(tǒng),作為開關控制電機的啟動、停止和調速,支持高電流負載,確保電機驅動的高效和穩(wěn)定。
- **功率模塊**:在各種工業(yè)功率模塊中,這款MOSFET能夠處理高功率負載,為功率轉換和負載開關提供穩(wěn)定支持,適合各種工業(yè)應用。
3. **消費電子**
- **高功率電子設備**:用于高功率電子設備,如高性能計算機電源和音響系統(tǒng),AUF1405ZS-VB能夠處理大電流負載,提供可靠的電源管理和高效的電力轉換。
- **電力控制**:在消費電子產品的電力控制系統(tǒng)中,該MOSFET能夠高效地管理電流,提供穩(wěn)定的開關控制,確保設備的穩(wěn)定運行和優(yōu)異性能。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12