--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AUIRF9Z34N-VB 是一款高性能的單P溝道MOSFET,采用TO220封裝,設(shè)計(jì)用于多種電源開(kāi)關(guān)和控制應(yīng)用。此MOSFET采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),支持高達(dá)-60V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS),其閾值電壓(Vth)為-1.7V。AUIRF9Z34N-VB 在4.5V和10V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓下,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))分別為74mΩ和62mΩ。其最大連續(xù)漏極電流(ID)為-40A,適用于高效的電源開(kāi)關(guān)和控制應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: AUIRF9Z34N-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 74mΩ @ VGS = 4.5V
- 62mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: -40A
- **技術(shù)**: 溝槽

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
AUIRF9Z34N-VB 的高效能和低導(dǎo)通電阻使其在以下領(lǐng)域和模塊中具有顯著的應(yīng)用優(yōu)勢(shì):
1. **電源管理**: AUIRF9Z34N-VB 在DC-DC轉(zhuǎn)換器和線性穩(wěn)壓器中應(yīng)用廣泛。其高效的電流處理能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效地控制電源,降低功耗,特別適用于需要高效能和穩(wěn)定輸出的電源管理系統(tǒng)。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電機(jī)控制應(yīng)用中,如電動(dòng)工具和小型電動(dòng)機(jī),AUIRF9Z34N-VB 提供了可靠的開(kāi)關(guān)性能,確保電機(jī)平穩(wěn)啟動(dòng)和運(yùn)行。其高電流處理能力使其適合用于高負(fù)載的電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中。
3. **汽車(chē)電子**: AUIRF9Z34N-VB 被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)電子系統(tǒng),如車(chē)載電源分配和控制模塊。其高耐壓特性和可靠的導(dǎo)通性能,使其在汽車(chē)電氣系統(tǒng)中提供高效和穩(wěn)定的電源控制,適用于電動(dòng)座椅調(diào)節(jié)和照明控制等應(yīng)用。
4. **工業(yè)自動(dòng)化**: 在工業(yè)控制和自動(dòng)化系統(tǒng)中,AUIRF9Z34N-VB 能夠有效地管理和控制高功率負(fù)載,提供精確的開(kāi)關(guān)操作。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其適合用于工業(yè)設(shè)備的電源開(kāi)關(guān)和控制模塊,如PLC和機(jī)器人控制系統(tǒng)。
5. **消費(fèi)電子**: 在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如音頻放大器和LED照明控制,AUIRF9Z34N-VB 提供了高效的電力開(kāi)關(guān)解決方案。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力確保了設(shè)備的高效能和長(zhǎng)壽命。
AUIRF9Z34N-VB 是一款在多個(gè)領(lǐng)域中表現(xiàn)優(yōu)異的P溝道MOSFET,特別適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車(chē)電子、工業(yè)自動(dòng)化和消費(fèi)電子等高效能應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力使其在各種電力控制和管理系統(tǒng)中具有廣泛應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛