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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AUIRFR1018ETRR-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): AUIRFR1018ETRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
AUIRFR1018ETRR-VB 是一款高電流、高電壓承載能力的N溝道MOSFET,采用TO252封裝。它適用于需要高效能和高功率處理的應(yīng)用,支持最高60V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為3V,確保在適中的柵極電壓下能夠可靠導(dǎo)通。AUIRFR1018ETRR-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為12mΩ,在10V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下為4.5mΩ,提供了極低的導(dǎo)通損耗,并能夠承載高達(dá)97A的連續(xù)漏極電流(ID)。采用溝槽技術(shù)的該MOSFET 在高電流和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,適合于需要高效率和可靠性的各種電力控制場景。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號(hào)**: AUIRFR1018ETRR-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 12mΩ @ VGS = 4.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 97A
- **技術(shù)**: 溝槽

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

AUIRFR1018ETRR-VB 的高電流和高電壓能力使其適用于多個(gè)高效能應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理**: 在高效能電源管理系統(tǒng)中,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源模塊,AUIRFR1018ETRR-VB 提供了優(yōu)異的導(dǎo)通性能和低導(dǎo)通電阻。其高電流處理能力和低導(dǎo)通損耗確保了電源系統(tǒng)的高效運(yùn)行和穩(wěn)定性,適合用于高功率電源轉(zhuǎn)換和管理。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,特別是需要高啟動(dòng)電流和穩(wěn)定運(yùn)行的應(yīng)用,AUIRFR1018ETRR-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其成為理想選擇。它能夠有效控制電機(jī)的啟動(dòng)、運(yùn)行和調(diào)速,提高了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能和可靠性。

3. **汽車電子**: 在汽車電子領(lǐng)域,如電源開關(guān)、驅(qū)動(dòng)控制和電動(dòng)座椅等應(yīng)用中,該MOSFET 提供了高效的開關(guān)能力和低功耗特性。其高電流處理能力和可靠的導(dǎo)通性能滿足了汽車電子設(shè)備對(duì)功率和穩(wěn)定性的要求。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**: 在工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中,AUIRFR1018ETRR-VB 可用于高功率PLC控制、開關(guān)電源和自動(dòng)化設(shè)備的驅(qū)動(dòng)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了在嚴(yán)苛環(huán)境下的高效能和可靠性。

5. **消費(fèi)電子**: 在高功率消費(fèi)電子設(shè)備,如LED驅(qū)動(dòng)器和高功率音響系統(tǒng)中,該MOSFET 提供了優(yōu)異的電力開關(guān)解決方案。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力確保了設(shè)備的高效能和長壽命。

AUIRFR1018ETRR-VB 是一款適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化和消費(fèi)電子等高效能應(yīng)用的N溝道MOSFET。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其在各種電力控制和管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。

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