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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AUIRFR3806-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AUIRFR3806-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
AUIRFR3806-VB 是一款采用 TO252 封裝的單極性 N 溝道 MOSFET。它具有高達 60V 的漏源電壓和 58A 的連續(xù)漏電流能力。該 MOSFET 使用了 Trench 技術(shù),具有低 RDS(ON) 值,適用于各種高性能開關(guān)應(yīng)用。

### 參數(shù)說明
- **型號**:AUIRFR3806-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:單極性 N 溝道 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**:60V
- **柵源電壓 (VGS)**:20V (±)
- **柵源閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **RDS(ON)**:13mΩ (VGS = 4.5V),10mΩ (VGS = 10V)
- **漏電流 (ID)**:58A
- **技術(shù)**:Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊
AUIRFR3806-VB 的高導通能力和低 RDS(ON) 值使其適用于高功率開關(guān)、直流-直流轉(zhuǎn)換器和電源管理系統(tǒng)。例如,在電動汽車的電源模塊中,這種 MOSFET 可以用于高效率的電源開關(guān);在計算機電源供應(yīng)中,它可以用于提高開關(guān)效率和降低功耗;在工業(yè)電源應(yīng)用中,它能夠?qū)崿F(xiàn)高電流負載下的穩(wěn)定性能。

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