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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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AUIRFR5505TR-VB一款Single-P溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應用說明

型號: AUIRFR5505TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-P

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**產品簡介:**

AUIRFR5505TR-VB 是一款單 P 溝道 MOSFET,封裝為 TO252。此 MOSFET 具有低導通電阻和較高的耐壓,專為負載開關和電源管理應用設計,適用于需要高電流和負電壓的環(huán)境。

**詳細參數(shù)說明:**

- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 P 溝道
- **漏源極耐壓 (VDS)**: -60V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 58mΩ @ VGS = 4.5V
 - 46mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -35A
- **技術**: 溝槽技術(Trench)

**應用領域及模塊示例:**

1. **負載開關**: AUIRFR5505TR-VB 在負載開關應用中表現(xiàn)出色,可用于低電壓和高電流的開關場合,如電源開關和負載控制器,以減少功耗和提高效率。

2. **電源轉換器**: 該 MOSFET 的低導通電阻使其非常適合用于電源轉換器中,特別是在要求較高負載電流的應用場景,如 DC-DC 轉換器中的低側開關。

3. **電機驅動電路**: 在電機驅動系統(tǒng)中,該 P 溝道 MOSFET 可用于電機的高效控制和保護,特別是用于高電流電機的反向電流保護和電流限制。

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