日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

AULR120N-VB一種TO252封裝Single-N-Channel場效應(yīng)管

型號: AULR120N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

## 產(chǎn)品簡介

AULR120N-VB 是一款高電壓單N溝道MOSFET,采用TO-252封裝。該MOSFET 基于先進的溝槽(Trench)技術(shù),設(shè)計用于高電壓和中等功率的應(yīng)用場合。AULR120N-VB 能夠在最大100V的漏源極電壓和15A的漏極電流條件下穩(wěn)定運行。其適中的導(dǎo)通電阻和寬泛的柵源極電壓范圍使其在多種高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,提供了可靠的電流控制和高效的能量傳輸。

## 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: AULR120N-VB
- **封裝**: TO-252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 114mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術(shù)**: 溝槽 (Trench)

## 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

AULR120N-VB MOSFET 的應(yīng)用領(lǐng)域包括:

1. **電源管理**: 在高電壓電源管理系統(tǒng)中,如高電壓開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器,AULR120N-VB 提供了較高的漏源極電壓承受能力和可靠的電流控制,確保在高電壓條件下的穩(wěn)定運行。這使得它適合用于要求高電壓處理和穩(wěn)壓的電源模塊中。

2. **汽車電子**: 該MOSFET 在汽車電子系統(tǒng)中,特別是在高電壓電池管理和電機驅(qū)動系統(tǒng)中,提供了穩(wěn)定的電流控制。其高電壓承受能力和可靠性使其在汽車系統(tǒng)中能夠有效處理高電壓電流,提升了汽車電子的性能和安全性。

3. **工業(yè)控制**: 在工業(yè)控制應(yīng)用中,AULR120N-VB 用于處理高電壓和中等功率的負(fù)載,特別是電機驅(qū)動和高電壓開關(guān)控制。其穩(wěn)定的性能和較低的導(dǎo)通電阻確保了在工業(yè)環(huán)境下的高效和可靠運行。

4. **消費電子**: 該MOSFET 也適用于高電壓的消費電子產(chǎn)品,如高電壓LED驅(qū)動器和高功率電源模塊。其良好的電氣性能在高電壓操作下提供了可靠的控制和能量傳輸,提升了消費電子產(chǎn)品的穩(wěn)定性和性能。

通過這些應(yīng)用實例,AULR120N-VB MOSFET 顯示出在高電壓和中等功率需求的應(yīng)用中的廣泛適用性,使其成為多個領(lǐng)域中高要求應(yīng)用的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    760瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    630瀏覽量
桑日县| 东乡族自治县| 绥棱县| 太原市| 乌拉特前旗| 青海省| 荔波县| 长春市| 文山县| 施秉县| 安仁县| 长葛市| 会东县| 团风县| 枞阳县| 当雄县| 曲水县| 和田市| 察隅县| 若羌县| 会泽县| 万年县| 包头市| 霸州市| 武山县| 安龙县| 田阳县| 乌拉特前旗| 商城县| 海门市| 成安县| 慈利县| 怀来县| 遂平县| 榆社县| 聊城市| 资溪县| 张家口市| 北宁市| 鄂托克旗| 丰台区|