--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**B1404L-VB** 是一款高性能單極性N通道場效應(yīng)晶體管,封裝形式為TO263。這款MOSFET采用Trench技術(shù)制造,提供高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,適合用于高功率和高效率的開關(guān)應(yīng)用。其設(shè)計旨在滿足對低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的要求,確保系統(tǒng)的可靠性和高效性。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: B1404L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極N通道
- **漏源電壓 (V_DS)**: 40V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 2.5V
- **導(dǎo)通電阻 (R_DS(on))**:
- 6mΩ (V_GS = 4.5V)
- 5mΩ (V_GS = 10V)
- **最大漏電流 (I_D)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理**:B1404L-VB在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別適用于高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源適配器,通過其低導(dǎo)通電阻有效減少能量損失,提升電源效率。
2. **電動汽車**:在電動汽車的電池管理系統(tǒng)和驅(qū)動系統(tǒng)中,B1404L-VB能夠提供高電流承載能力,支持高效能的電力轉(zhuǎn)換和管理,提高電動汽車的整體性能和可靠性。
3. **開關(guān)電源**:這款MOSFET適合用于各種開關(guān)電源設(shè)計,能夠處理高電流負載,確保穩(wěn)定的電壓輸出和高效的功率轉(zhuǎn)換,支持大功率電源系統(tǒng)的需求。
4. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,B1404L-VB作為開關(guān)元件,能夠處理高功率負載,提供可靠的開關(guān)控制,滿足工業(yè)設(shè)備對穩(wěn)定性和高效性的要求。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12