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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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B76NF75-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: B76NF75-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**B76NF75-VB** 是一款高性能單通道 N 溝道 MOSFET,封裝類型為 TO-263。這款 MOSFET 采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適合于需要高功率密度和高效率的各種應(yīng)用。其漏源極電壓(VDS)高達(dá) 80V,適合在高壓環(huán)境中穩(wěn)定運行,同時其門源極電壓(VGS)最大可達(dá)到 ±20V,確保其在極端條件下的可靠性。B76NF75-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 4.5V 時為 10mΩ,在 VGS 為 10V 時為 6mΩ,顯示出極低的功耗。該 MOSFET 的漏極電流(ID)達(dá)到 120A,適合高電流負(fù)載的需求。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: B76NF75-VB
- **封裝**: TO-263
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 80V
- **門源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 10mΩ @ VGS = 4.5V
 - 6mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench 技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高功率電源管理**:
  B76NF75-VB 適用于高功率電源管理系統(tǒng),如高效率的開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻能夠有效降低功率損耗,提升電源效率,在高功率應(yīng)用中提供穩(wěn)定的性能。

2. **電機(jī)驅(qū)動**:
  在電機(jī)驅(qū)動模塊中,B76NF75-VB 能夠處理高電流負(fù)載,例如大功率直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)。其高電流額定值和低導(dǎo)通電阻能夠確保電機(jī)運行時的高效率和穩(wěn)定性。

3. **工業(yè)設(shè)備**:
  由于其較高的漏源極電壓(VDS)和電流處理能力,B76NF75-VB 適用于工業(yè)設(shè)備的電源開關(guān)和控制模塊。在需要承受高電壓和大電流的應(yīng)用中,這款 MOSFET 可以提供可靠的性能。

4. **汽車電子**:
  在汽車電子系統(tǒng)中,如電動汽車的電源管理和高功率開關(guān)應(yīng)用,B76NF75-VB 能夠滿足高電流和高電壓的要求,提供穩(wěn)定和高效的電源轉(zhuǎn)換和控制。

這款 MOSFET 的優(yōu)越特性使其在需要處理高電流和高電壓的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,特別是在高功率電源管理和驅(qū)動系統(tǒng)中。

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