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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSZ076N06NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSZ076N06NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號**: BSZ076N06NS3 G-VB  
**封裝**: DFN8 (3x3)  
**配置**: 單N溝道MOSFET  
**技術(shù)**: 溝槽型技術(shù)

### 詳細參數(shù)說明

- **VDS**: 60V (漏源極電壓)
- **VGS**: ±20V (柵源極電壓)
- **Vth**: 3V (柵源極閾值電壓)
- **RDS(ON)**: 
 - 5mΩ @ VGS = 10V
- **ID**: 30A (漏極電流)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源管理**: 適用于高電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開關(guān),提供低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。
2. **汽車電子**: 用于汽車電源系統(tǒng)中的高功率開關(guān)和負載控制,提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
3. **工業(yè)設(shè)備**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中應(yīng)用,處理高電流和高電壓負載,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。
4. **數(shù)據(jù)中心**: 適合數(shù)據(jù)中心的電源管理模塊,優(yōu)化高功率負載的能源使用和熱管理。

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