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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSZ16DN25NS3 G-VB一款Single-N溝道DFN8(3X3)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSZ16DN25NS3 G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BSZ16DN25NS3** 是一款單極N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),封裝形式為DFN8(3X3)。它采用了溝槽(Trench)技術(shù),具備較高的耐壓能力和較低的導(dǎo)通電阻,專(zhuān)為高電壓、高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET廣泛應(yīng)用于電源管理、開(kāi)關(guān)電路及其他需要高電壓和高電流處理的場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BSZ16DN25NS3
- **封裝**: DFN8(3X3)
- **配置**: 單極N溝道(Single-N-Channel)
- **漏極-源極耐壓(V_DS)**: 250V
- **柵極-源極耐壓(V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓(V_th)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(R_DS(ON))**: 125mΩ(在V_GS = 10V時(shí))
- **漏極電流(I_D)**: 10.3A
- **技術(shù)**: 溝槽(Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

**1. 高壓電源管理:**  
BSZ16DN25NS3 具有高達(dá)250V的漏極-源極耐壓,使其非常適合用于高壓電源管理系統(tǒng)。這款MOSFET可以在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作,廣泛應(yīng)用于AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源開(kāi)關(guān)模塊。

**2. 工業(yè)設(shè)備:**  
在工業(yè)設(shè)備中,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和電源保護(hù)電路,BSZ16DN25NS3 提供可靠的高電壓開(kāi)關(guān)能力。它能夠在高功率條件下高效工作,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和安全性。

**3. 電池管理系統(tǒng):**  
這款MOSFET 在電池管理系統(tǒng)中用于高電壓應(yīng)用時(shí),能夠提供可靠的開(kāi)關(guān)性能和過(guò)流保護(hù)。例如,它可以用于電池充電和放電控制,確保電池在高電壓環(huán)境下的安全和有效操作。

**4. 逆變器和變換器:**  
在逆變器和變換器模塊中,BSZ16DN25NS3 的高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性使其成為理想選擇。它能夠有效地管理和轉(zhuǎn)換電力,保證系統(tǒng)的高效運(yùn)行。

**5. 汽車(chē)電子系統(tǒng):**  
在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,這款MOSFET 適用于高電壓的開(kāi)關(guān)和保護(hù)應(yīng)用,如電池保護(hù)和高壓負(fù)載開(kāi)關(guān)。它的高電壓處理能力和穩(wěn)定性使其適合于汽車(chē)環(huán)境中的苛刻條件。

BSZ16DN25NS3 的這些應(yīng)用示例展示了其在不同領(lǐng)域中的廣泛適用性,特別是在高電壓和高功率環(huán)境中表現(xiàn)優(yōu)異。

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