特點(diǎn)
16-Kbit 鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM)
為 2 K × 8 
? 高耐久性 100 萬(wàn)億次（1014）讀/寫(xiě) 
? 151 年數(shù)據(jù)保留期（請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)保留期和
見(jiàn)數(shù)據(jù)保留和耐用性表）
? NoDelay? 寫(xiě)入 
先進(jìn)的高可靠性鐵電工藝
快速 2 線串行接口 (I2C)
頻率高達(dá) 1-MHz 
直接硬件替代串行 (I2C) EEPROM
? 支持 100 kHz 和 400 kHz 的傳統(tǒng)時(shí)序
低功耗
? 100 kHz 時(shí)的 100 ?A 有效電流 
4 ?A（典型值）待機(jī)電流 
電壓工作： VDD = 4.5 V 至 5.5 V
工業(yè)溫度：-40 ?C 至 +85 ?C
8 引腳小外形集成電路 (SOIC) 封裝 
符合有害物質(zhì)限制 (RoHS) 標(biāo)準(zhǔn)

 功能說(shuō)明
FM24C16B 是一款 16KB 非易失性存儲(chǔ)器，采用了先進(jìn)的鐵電工藝。
先進(jìn)的鐵電工藝。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器或 F-RAM 是非易失性存儲(chǔ)器，其讀寫(xiě)功能與 RAM 相似。
類似于 RAM。它能提供 151 年的可靠數(shù)據(jù)保留
同時(shí)消除了 EEPROM 帶來(lái)的復(fù)雜性、開(kāi)銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。
EEPROM 和其他非易失性存儲(chǔ)器造成的復(fù)雜性、開(kāi)銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。
存儲(chǔ)器造成的復(fù)雜性和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。
與 EEPROM 不同，F(xiàn)M24C16B 以總線速度執(zhí)行寫(xiě)入操作。
總線速度執(zhí)行寫(xiě)入操作。不會(huì)產(chǎn)生寫(xiě)入延遲。數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列
數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列。
數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列。下一個(gè)總線周期可以開(kāi)始
無(wú)需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢。此外，與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，該產(chǎn)品還具有
此外，與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，該產(chǎn)品還具有很強(qiáng)的寫(xiě)入耐用性。
此外，與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，該產(chǎn)品具有很強(qiáng)的寫(xiě)入耐用性。此外，F(xiàn)-RAM 在寫(xiě)入過(guò)程中的功耗也比 EEPROM 低得多。
因?yàn)閷?xiě)入操作不需要為寫(xiě)入電路提供內(nèi)部升高的電源電壓。
寫(xiě)入電路的電源電壓。FM24C16B
能夠支持 1014 次讀/寫(xiě)循環(huán)，即寫(xiě)循環(huán)次數(shù)是 EEPROM 的 1 億倍。
倍。
這些功能使 FM24C16B 成為需要頻繁或快速寫(xiě)入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用的理想之選。
存儲(chǔ)器應(yīng)用的理想選擇。
例如，在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，寫(xiě)入循環(huán)的次數(shù)可能至關(guān)重要。
到要求苛刻的工業(yè)控制，在這些應(yīng)用中，EEPROM 的寫(xiě)入時(shí)間較長(zhǎng)。
EEPROM 的長(zhǎng)時(shí)間寫(xiě)入會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。這些
這些功能的結(jié)合，使數(shù)據(jù)寫(xiě)入更加頻繁，同時(shí)
減少系統(tǒng)開(kāi)銷。
FM24C16B 為串行（I2C）EEPROM 的用戶提供了極大的好處。
(I2C) EEPROM 的用戶帶來(lái)了實(shí)質(zhì)性的好處。器件
在工業(yè)溫度范圍
溫度范圍為 -40 ?C 至 +85 ?C。