特點(diǎn)
PowerPAK單曲使用簡(jiǎn)單。引腳排列
（漏極、源極、柵極引腳）和引腳尺寸為
與標(biāo)準(zhǔn)SO-8設(shè)備相同（見圖2）。因此
PowerPAK連接焊盤與
SO-8。唯一的區(qū)別是延長(zhǎng)了排水連接
區(qū)域。立即利用PowerPAK SO-8
單臺(tái)設(shè)備，它們可以安裝在現(xiàn)有的SO-8陸地上
模式。
建議充分利用的最小土地格局
PowerPAK熱性能的優(yōu)勢(shì)，請(qǐng)參閱
應(yīng)用說明826，推薦的最小襯墊
Vishay Siliconix的帶輪廓圖訪問的圖案
MOSFET
點(diǎn)擊索引中的PowerPAK SO-8單曲
關(guān)于這份文件。
在這個(gè)圖中，給出了排水用地模式，以充分利用
接觸PowerPAK封裝上的漏極焊盤。
這種土地模式可以擴(kuò)展到左側(cè)、右側(cè)和頂部
繪制的圖案。這一延期將有助于增加
通過降低熱阻來(lái)散熱
從PowerPAK的底部到PC板
因此與周圍環(huán)境接觸。注意增加排水用地
超過某一點(diǎn)的面積幾乎不會(huì)減少
在腳到板和腳到環(huán)境熱阻方面。
在特定的電路板配置條件下，銅
重量和層堆疊，實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)
超過約0.25平方英寸至0.5平方英寸的額外銅
（除排水用地外）對(duì)
熱性能。
