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深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司

主要銷售觸摸芯片,DC-DC電源,微控制器單片機,存儲器,MOS場效應(yīng)管,LED驅(qū)動產(chǎn)品。

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VISHAY/威世 SI7998DP-T1-GE3 PPAKSO-8場效應(yīng)管

型號: SI7998DP-T1-GE3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 SI7998DP-T1-GE3
  • 數(shù)量 5800
  • 封裝 PPAKSO-8
  • 品牌 VISHAY/威世
  • 批次 最新批次

--- 產(chǎn)品詳情 ---

特點

PowerPAK單曲使用簡單。引腳排列
(漏極、源極、柵極引腳)和引腳尺寸為
與標(biāo)準(zhǔn)SO-8設(shè)備相同(見圖2)。因此
PowerPAK連接焊盤與
SO-8。唯一的區(qū)別是延長了排水連接
區(qū)域。立即利用PowerPAK SO-8
單臺設(shè)備,它們可以安裝在現(xiàn)有的SO-8陸地上
模式。
建議充分利用的最小土地格局
PowerPAK熱性能的優(yōu)勢,請參閱
應(yīng)用說明826,推薦的最小襯墊
Vishay Siliconix的帶輪廓圖訪問的圖案
MOSFET
點擊索引中的PowerPAK SO-8單曲
關(guān)于這份文件。
在這個圖中,給出了排水用地模式,以充分利用
接觸PowerPAK封裝上的漏極焊盤。
這種土地模式可以擴展到左側(cè)、右側(cè)和頂部
繪制的圖案。這一延期將有助于增加
通過降低熱阻來散熱
從PowerPAK的底部到PC板
因此與周圍環(huán)境接觸。注意增加排水用地
超過某一點的面積幾乎不會減少
在腳到板和腳到環(huán)境熱阻方面。
在特定的電路板配置條件下,銅
重量和層堆疊,實驗發(fā)現(xiàn)
超過約0.25平方英寸至0.5平方英寸的額外銅
(除排水用地外)對
熱性能。

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