特點(diǎn)
4Gb雙數(shù)據(jù)速率3（DDR3（L））DRAM是一種高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。
它內(nèi)部配置為八進(jìn)制存儲(chǔ)體DRAM。
4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲(chǔ)體和32Mbit x16 I/O x 8個(gè)存儲(chǔ)體組成。這些同步
器件實(shí)現(xiàn)了高達(dá)2133Mb/sec/pin的高速雙倍數(shù)據(jù)速率傳輸速率，適用于一般應(yīng)用。
該芯片的設(shè)計(jì)符合DDR3（L）DRAM的所有關(guān)鍵特性以及所有控制和地址
輸入與一對(duì)外部提供的差分時(shí)鐘同步。輸入在十字處鎖定
差分時(shí)鐘點(diǎn)（CK上升和??下降）。所有I/O都與單端DQS同步，或
差分DQS以源同步方式配對(duì)。
這些設(shè)備使用單個(gè)1.5V±0.075V或1.35V-0.067V/+0.1V電源運(yùn)行
BGA封裝。
