--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 型號 STM32H743IIT6
- 數(shù)量 2236
- 封裝 LQFP176
- 品牌 ST/意法半導體
- 批次 最新批次
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
特點
?32位Arm?Cortex?-M7內(nèi)核,雙
精確FPU和L1緩存:16KB數(shù)據(jù)
16KB的指令緩存;頻率
高達480 MHz,MPU,1027 DMIPS/
2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP
說明書
回憶
?高達2 MB的閃存,帶讀取功能
同時寫入支持
?高達1 MB的RAM:192 KB的TCM
RAM(股份有限公司64K字節(jié)的ITCM RAM+
128 KB的DTCM RAM,用于時間關鍵型
例程),高達864KB的用戶SRAM,以及
備份域中的4KB SRAM
?雙模四SPI存儲器接口
運行頻率高達133 MHz
?靈活的外部存儲控制器,最高可達
32位數(shù)據(jù)總線:SRAM、PSRAM,
SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND閃存
內(nèi)存時鐘頻率高達100 MHz
描述
–D2:通信外設和定時器–D3:復位/時鐘控制/電源管理
?1.62至3.6 V的應用電源和I/O
?POR、PDR、PVD和BOR
?內(nèi)置3.3V專用USB電源
內(nèi)部調(diào)節(jié)器為內(nèi)部PHY供電
?嵌入式穩(wěn)壓器(LDO),可配置
可擴展輸出,為數(shù)字電路供電
?運行和停止模式下的電壓縮放(6
可配置范圍)
?備用調(diào)節(jié)器(~0.9 V)
?模擬外設/VREF的電壓參考+
?低功耗模式:睡眠、停止、待機和
VBAT支持電池充電
低功耗
?VBAT電池充電運行模式
能力
?CPU和域電源狀態(tài)監(jiān)測引腳
?待機模式下為2.95μA(備份SRAM關閉,
RTC/LSE打開)
時鐘管理
?內(nèi)部振蕩器:64 MHz HSI,48 MHz
HSI48,4 MHz CSI,32 kHz LSI
?外部振蕩器:4-48 MHz HSE,
32.768千赫LSE
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